[實(shí)用新型]一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721366806.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN207481372U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉兆;朱華珍;王福興;耿濤;曹軍
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州市博泰電子有限公司
• 主分類號: B32B27/28
• 分類號: B32B27/28;B32B27/06;B32B15/04;B32B15/20;H05K1/02;H05K1/03
• 代理公司: 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 仲崇明

本實(shí)用新型涉及一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板，包括雙面覆銅基板和芯片；所述雙面覆銅基板由正面覆銅板和反面覆銅板構(gòu)成，所述正面覆銅板包括正面銅箔和正面絕緣基層，所述正面絕緣基層覆于正面銅箔的上表面；所述反面覆銅板包括反面銅箔、反面絕緣基層、上層聚酰亞胺膜層、中間聚酰亞胺膜層以及下層聚酰亞胺膜層，所述反面絕緣基層覆于反面銅箔的下表面，所述上層聚酰亞胺膜層、中間聚酰亞胺膜層以及下層聚酰亞胺膜層依次覆于反面絕緣基層的下表面。本實(shí)用新型可靠性好、絕緣性佳、可靠性好，無需高溫處理、長時(shí)間高溫烘烤等制程控制的限制，保證高良率，并且能夠通過著色劑層的設(shè)置有效保護(hù)電路板的技術(shù)秘密。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電路板領(lǐng)域，具體涉及一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板。

背景技術(shù)

隨著電子設(shè)計(jì)和制造工藝的不斷進(jìn)步，電子產(chǎn)品也逐步在向高功能化、高密度化以及高傳輸速率的趨勢發(fā)展。同時(shí)又由于芯片小型化的迅速發(fā)展、數(shù)據(jù)傳輸數(shù)量的增多，系統(tǒng)工作頻率也越來越高。

其中，目前通常在使用的無膠雙面銅箔基板存在生產(chǎn)時(shí)需要高溫處理、長時(shí)間高溫烘烤等制程控制的限制，浪費(fèi)能源和生產(chǎn)時(shí)間，并且還無法保證生產(chǎn)的良率和效率，限制了生產(chǎn)能力。

鑒于此，提出一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)浪費(fèi)能源、時(shí)間、且良率低的缺陷，本實(shí)用新型提供一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板，包括雙面覆銅基板和芯片；所述雙面覆銅基板由正面覆銅板和反面覆銅板構(gòu)成，所述正面覆銅板包括正面銅箔和正面絕緣基層，所述正面絕緣基層覆于正面銅箔的上表面；所述反面覆銅板包括反面銅箔、反面絕緣基層、上層聚酰亞胺膜層、中間聚酰亞胺膜層以及下層聚酰亞胺膜層，所述反面絕緣基層覆于反面銅箔的下表面，所述上層聚酰亞胺膜層、中間聚酰亞胺膜層以及下層聚酰亞胺膜層依次覆于反面絕緣基層的下表面。

進(jìn)一步地，所述正面絕緣基層由第一絕緣基膜和第二絕緣基膜依次連接構(gòu)成。

進(jìn)一步地，所述上層聚酰亞胺膜層厚度范圍為5～10mm，所述中間聚酰亞胺膜層厚度范圍為5～15mm，所述下層聚酰亞胺膜層厚度范圍為5～10mm。

進(jìn)一步地，所述中間聚酰亞胺膜層的下表面上設(shè)有一著色劑層。

進(jìn)一步地，所述正面絕緣基層沿厚度方向開設(shè)有散熱孔，在散熱孔內(nèi)填充有散熱硅膠。

進(jìn)一步地，所述反面絕緣基層沿厚度方向開設(shè)有散熱孔，在散熱孔內(nèi)填充有散熱硅膠。

有益效果：本實(shí)用新型可靠性好、絕緣性佳、可靠性好，無需高溫處理、長時(shí)間高溫烘烤等制程控制的限制，保證高良率，并且能夠通過著色劑層的設(shè)置有效保護(hù)電路板的技術(shù)秘密。

附圖說明

附圖1為本實(shí)施例中雙面覆銅基板分開的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為本實(shí)施例中雙面覆銅基板裝配后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例：一種聚酰亞胺雙面覆銅電路板。

如圖1-2，包括雙面覆銅基板1和芯片。其中，所述雙面覆銅基板1由正面覆銅板2和反面覆銅板3構(gòu)成，所述正面覆銅板2包括正面銅箔4和正面絕緣基層5，所述正面絕緣基層5覆于正面銅箔4的上表面。所述反面覆銅板3包括反面銅箔6、反面絕緣基層7、上層聚酰亞胺膜層8、中間聚酰亞胺膜層9以及下層聚酰亞胺膜層10。所述反面絕緣基層7覆于反面銅箔6的下表面，所述上層聚酰亞胺膜層8、中間聚酰亞胺膜層9以及下層聚酰亞胺膜層10依次覆于反面絕緣基層7的下表面。