[實(shí)用新型]一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721362029.X
• 申請(qǐng)日: 2017-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207267900U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳亮;王智昊;賀廣東;黃毅;王琦琨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州奧趨光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C30B23/00
• 分類號(hào): C30B23/00;C30B29/38
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi)

1.一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，設(shè)于支撐平臺(tái)上，其特征在于：包括用于放置氮化鋁粉源或氮化鋁燒結(jié)體的坩堝本體、蓋設(shè)于所述坩堝本體頂部的坩堝蓋、至少一個(gè)可拆卸的設(shè)于所述坩堝本體和所述坩堝蓋之間的坩堝套筒，所述坩堝套筒包括套筒本體、連接在所述套筒本體上端的用于將所述套筒本體固定在所述坩堝蓋上的第一連接部、連接在所述套筒本體下端的用于將所述套筒本體固定在所述坩堝本體上的第二連接部；

當(dāng)所述坩堝套筒至少有兩個(gè)時(shí)，上部的所述坩堝套筒的所述第二連接部固定在下部的所述坩堝套筒的所述第一連接部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第一連接部為第一套筒，所述坩堝蓋下端設(shè)有用于配合的套設(shè)于所述第一套筒內(nèi)側(cè)周部或外側(cè)周部的第二套筒。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第一套筒的外徑與所述套筒本體的外徑相同，且所述第一套筒的內(nèi)徑大于所述套筒本體的內(nèi)徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第一套筒的外徑小于所述套筒本體的外徑，且所述第一套筒的內(nèi)徑與所述套筒本體的內(nèi)徑相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第二連接部為第三套筒，所述坩堝本體上端設(shè)有用于配合的套設(shè)于所述第三套筒內(nèi)側(cè)周部或外側(cè)周部的第四套筒。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第三套筒的外徑與所述套筒本體的外徑相同，且所述第三套筒的內(nèi)徑大于所述套筒本體的內(nèi)徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述第三套筒的外徑小于所述套筒本體的外徑，且所述第三套筒的內(nèi)徑與所述套筒本體的內(nèi)徑相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述多段式坩堝裝置還包括設(shè)于所述坩堝本體和所述支撐平臺(tái)之間的定位機(jī)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述定位機(jī)構(gòu)包括設(shè)于所述坩堝本體下表面的第一凸起部、設(shè)于所述支撐平臺(tái)上表面的用于配合所述第一凸起部插入的第一凹陷部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于氮化鋁單晶生長(zhǎng)的多段式坩堝裝置，其特征在于：所述定位機(jī)構(gòu)包括設(shè)于所述支撐平臺(tái)上表面的第二凸起部、設(shè)于所述坩堝本體下表面的用于配合所述第二凸起部插入的第二凹陷部。