[實用新型]一種OLED顯示屏陽極基板有效
| 申請號: | 201721358556.3 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN207441703U | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發明(設計)人: | 鄭華;楊雷;章偉;范麗仙;張耿;張紹強;劉敏霞;李春花 | 申請(專利權)人: | 東莞理工學院 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 羅曉林;李捷 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素定義層 子像素 陽極金屬 陽極基板 本實用新型 頂部設置 噴墨打印 陽極 發光層 紅綠藍 均勻性 含氟 液滴 制備 發光 保證 | ||
本實用新型公開了一種OLED顯示屏陽極基板,包括具有陽極金屬的TFT基板,TFT基板上設置有多個第一像素定義層,兩第一像素定義層之間形成一子像素坑,所述陽極金屬設置于TFT基板上與子像素坑對應的位置上,所述第一像素定義層的頂部設置有一可含氟的第二像素定義層,且第二像素定義層的寬度小于第一像素定義層的頂部寬度;所述陽極金屬的尺寸小于對應的子像素坑的底部尺寸。利用本實用新型制得的OLED顯示屏陽極基板,可使得在制備OLED顯示屏的過程中,噴墨打印的液滴能在子像素坑內良好地形成紅綠藍發光層,并且可保證OLED顯示屏發光的均勻性。
技術領域
本實用新型涉及OLED顯示屏技術領域,具體一種OLED顯示屏陽極基板。
背景技術
有機發光二極管(OLED)是一種重要的顯示技術,傳統的OLED顯示屏采用全蒸鍍工藝制備,必須使用高精度的蒸鍍掩膜板(FMM,Fine Metal Mask)來定義紅綠藍子像素,因此工藝復雜、成本高昂。目前業界正積極改用印刷工藝(主要是噴墨打印)來制備紅綠藍子像素,其工藝簡單、成本低廉,這種包含了印刷工藝制備的OLED顯示屏稱為“印刷OLED顯示屏”。印刷OLED顯示屏的基本特點是發光層采用印刷工藝(主要是噴墨打印)制備,而其上、下層的其它有機功能層可以是印刷工藝(噴墨打印、絲網印刷、旋涂、噴涂、刮涂、壓印等)制備,也可以是蒸鍍工藝制備。
單個印刷OLED顯示屏的像素的整體結構示意圖如圖1所示,目前印刷OLED技術一般是在①陽極基板上,依次制備②③④⑤各層,最后包封而成。其中核心難點在于噴墨打印③紅綠藍發光層,噴墨打印的液滴容易溢出和彼此混合,從而使紅綠藍子像素的定義失敗。現有的陽極基板的結構如附圖2所示,噴墨打印的液滴之所以容易溢出和彼此混合,是因為現有陽極基板上的像素定義層受限于工藝,像素定義層有兩方面難以滿足噴墨打印的需要:(1)像素定義層是利用聚酰亞胺材料刻蝕形成子像素坑,其厚度很難增加,導致子像素坑能容納液滴的體積有限;(2)其材料(聚酰亞胺)與液滴的親和能很難降低,導致液滴容易擴散和溢出。
另外,由于子像素坑對應位置的陽極金屬,其寸與子像素坑底部的尺寸相同,從而會導致子像素坑內紅綠藍發光層邊緣不均勻區參與發光,從而不能保證參與發光的紅綠藍發光層的厚度均勻。因此,有必要對現有的陽極基板進行優化改進。
實用新型內容
為克服現有技術的不足及存在的問題,本實用新型提供一種OLED顯示屏陽極基板,利用本實用新型提供的OLED顯示屏陽極基板,可使得在制備OLED顯示屏的過程中,噴墨打印的液滴能在子像素坑內良好地形成紅綠藍發光層,并且可保證OLED顯示屏發光的均勻性。
本實用新型是通過以下技術方案實現的:一種OLED顯示屏陽極基板,包括具有陽極金屬的TFT基板,TFT基板上設置有多個第一像素定義層,兩第一像素定義層之間形成一子像素坑,所述陽極金屬設置于TFT基板上與子像素坑對應的位置上,所述第一像素定義層的頂部設置有一可含氟的第二像素定義層,且第二像素定義層的寬度小于第一像素定義層的頂部寬度;所述陽極金屬的尺寸小于對應的子像素坑的底部尺寸。
優選地,所述陽極金屬的尺寸為對應子像素坑的底部尺寸的60%- 90%;所述陽極金屬位于對應預設子像素坑的居中位置。
優選地;所述第二像素定義層由含氟光刻膠制成;較佳地,所述含氟光刻膠為以2-烯丙六氟異丙醇(Allyl HFIP)為共聚單體合成的含氟樹脂光刻膠,或為以六氟二酐(6FDA)作為共聚單體合成的含氟的聚酰亞胺光刻膠。
較佳地,所述第一像素定義層呈上窄下寬的梯形結構;所述第二像素定義層為矩形結構。
較佳地,所述第一像素定義的頂部的為平面,且其頂部的寬度≥5um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





