[實用新型]一種用于MOSFET的保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721332829.7
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207218656U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 許守東;陳勇;張麗
• 申請（專利權）人: 云南電網(wǎng)有限責任公司電力科學研究院
• 主分類號: H03K17/08
• 分類號: H03K17/08
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 逯長明,許偉群

1.一種用于MOSFET的保護電路，其特征在于，所述電路包括串聯(lián)的穩(wěn)壓電路S1與延遲電路S2，其中所述穩(wěn)壓電路S1包括穩(wěn)壓二極管D1，所述穩(wěn)壓二極管D1的負極用于連接MOSFET Q3的D極，所述穩(wěn)壓二極管D1的正極連接所述延遲電路S2的一端；

所述延遲電路S2的另一端連接MOSFET Q2的G極，當關閉MOSFET Q3時，若MOSFETQ3的D極與S極之間的電壓V_DS超過所述穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓電壓，則所述穩(wěn)壓二極管D1導通，帶動所述延遲電路S2導通，使MOSFET Q2的G極的電壓降低，從而使MOSFET Q2延遲對MOSFET Q1的關閉動作。

2.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述延遲電路S2包括串聯(lián)的電阻R1與三極管Q4，所述電阻R1的一端連接所述穩(wěn)壓二極管D1的正極，所述電阻R1的另一端連接所述三極管Q4的b極；

所述三極管Q4的c極用于連接MOSFET Q2的G極，所述三極管Q4的e極接地。

3.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述保護電路還包括補能電路S3，所述補能電路S3的一端連接所述穩(wěn)壓二極管D1的正極，所述補能電路S3的另一端用于連接MOSFET Q3的G極，

當關閉MOSFET Q3時，若MOSFET Q3的D極與S極之間的電壓V_DS超過所述穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓電壓，則所述穩(wěn)壓二極管D1導通，帶動所述補能電路S3導通，使MOSFET Q3的G極的電壓提高，從而使MOSFET Q3的關閉動作延遲。

4.如權利要求3所述的保護電路，其特征在于，所述補能電路S3包括串聯(lián)的二極管D2與電阻R2，

所述二極管D2的正極連接所述穩(wěn)壓二極管D1的正極，所述二極管D2的負極連接所述電阻R2的一端，

所述電阻R2的另一端連接MOSFET Q3的G極。

5.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述保護電路還包括吸能電路S4，所述吸能電路S4用于并聯(lián)在MOSFET Q3的D極與S極的兩端，所述吸能電路S4用于吸收寄生電感L施加在MOSFET Q3上的反向感應電能。

6.如權利要求5所述的保護電路，其特征在于，所述吸能電路S4包括一電容C，所述電容C并聯(lián)在MOSFET Q3的D極與S極的兩端。