[實用新型]輸入/輸出驅動電路和集成電路有效
| 申請號: | 201721277222.3 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN207460130U | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | P·辛格;P·N·辛格 | 申請(專利權)人: | 意法半導體國際有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185;G05F1/567;G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;張寧 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動電路 輸入/輸出 操作狀態 局部電壓 集成電路 輸入/輸出電路 響應 核心電路區域 集成電路裸片 外圍電路區域 溫度補償信號 補償信號 電壓變化 時鐘信號 感測 全局 第二驅動電路 第一驅動電路 電壓補償電路 本實用新型 補償電路 參考電壓 電源電壓 固定帶 頻率差 測量 | ||
1.一種輸入/輸出驅動電路,其特征在于,包括:
第一驅動電路,被配置為在輸入/輸出節點處生成輸入/輸出驅動信號;
第二驅動電路,被配置為響應于局部電壓補償信號來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動,所述局部電壓補償信號根據第一時鐘信號和第二時鐘信號之間的經測量的頻率差而被生成,所述第一時鐘信號響應于針對所述輸入/輸出驅動電路的電源電壓而被生成,并且所述第二時鐘信號響應于固定帶隙參考電壓而生成;以及
第三驅動電路,被配置為響應于根據工藝和溫度變化而生成的集中操作狀態補償信號來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動。
2.根據權利要求1所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,所述第三驅動電路包括:
PMOS操作狀態補償電路,被配置為接收PMOS操作狀態補償代碼,并響應于所述PMOS操作狀態補償代碼來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動;以及
NMOS操作狀態補償電路,被配置為接收NMOS操作狀態補償代碼,并響應于所述NMOS操作狀態補償代碼來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動。
3.根據權利要求1所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,所述第二驅動電路包括:
PMOS電壓補償電路,被配置為接收PMOS電壓補償代碼,并響應于所述PMOS電壓補償代碼來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動;以及
NMOS電壓補償電路,被配置為接收NMOS電壓補償代碼,并響應于所述PMOS電壓補償代碼來改變所述輸入/輸出驅動信號的驅動。
4.根據權利要求3所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,所述PMOS電壓補償代碼包括多比特數字代碼,并且所述NMOS電壓補償代碼包括多比特數字代碼。
5.根據權利要求1所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,還包括:
頻率比較電路,被配置為將所述第一時鐘信號的頻率與所述第二時鐘信號的頻率進行比較,以生成所述經測量的頻率差;以及
二進制碼發生器電路,被配置為將所述經測量的頻率差轉換為局部電壓補償信號的數字PMOS電壓補償代碼和所述局部電壓補償信號的數字NMOS電壓補償代碼。
6.根據權利要求5所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,所述第二驅動電路包括:
PMOS電壓補償電路,包括響應于所述數字PMOS電壓補償代碼的比特而選擇性地致動的多個PMOS晶體管;以及
NMOS電壓補償電路,包括響應于所述數字NMOS電壓補償代碼的比特而選擇性地致動的多個NMOS晶體管。
7.根據權利要求5所述的輸入/輸出驅動電路,其特征在于,所述頻率比較電路包括:
第一計數器,操作為對所述第一時鐘信號的周期進行計數;以及
第二計數器,操作為對所述第二時鐘信號的周期進行計數,并且當所述第二計數器的第二計數達到閾值計數時,生成重置信號;
其中響應于所述重置信號凍結由所述第一計數器的計數,而所述第一計數器的第一計數當被凍結時被輸出作為所述經測量的頻率差。
8.一種集成電路,其特征在于,包括:
操作狀態補償電路,被配置為生成工藝和溫度變化數字補償信號;
電壓補償電路,被配置為根據第一時鐘信號和第二時鐘信號之間的經測量的頻率差來生成電壓變化數字補償信號,所述第一時鐘信號響應于經受電壓變化的電源電壓而被生成,所述第二時鐘信號響應于固定帶隙參考電壓而被生成;以及
輸入/輸出驅動電路,被配置為響應于所述工藝和溫度變化數字補償信號和所述電壓變化數字補償信號而生成輸入/輸出驅動信號。
9.根據權利要求8所述的集成電路,其特征在于,包括集成電路裸片的外圍電路區域以及所述集成電路裸片的核心電路區域,所述外圍電路區域包括所述輸入/輸出驅動電路,所述集成電路裸片的核心電路區域包括所述操作狀態補償電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體國際有限公司,未經意法半導體國際有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721277222.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





