[實用新型]蒸發(fā)源裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721226712.0 | 申請日: | 2017-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN207418851U | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅鵬;邱林林 | 申請(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸發(fā)源 蒸鍍 蒸發(fā)源裝置 蒸發(fā)通道 傾斜延伸 均一性 角度限制板 材料沉積 摻雜材料 范圍增大 蒸鍍基板 主體材料 上膜 重合 宕機(jī) 摻雜 保證 生產(chǎn) | ||
1.一種蒸發(fā)源裝置(100),其特征在于,包括:
輔助蒸發(fā)源(50)和圍繞所述輔助蒸發(fā)源(50)設(shè)置的主蒸發(fā)源(10),所述主蒸發(fā)源(10)和所述輔助蒸發(fā)源(50)分別具有至少一條蒸發(fā)通道(70,80),所述輔助蒸發(fā)源(50)的蒸發(fā)通道(80)向所述主蒸發(fā)源(10)一側(cè)傾斜延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述輔助蒸發(fā)源(50)的蒸發(fā)通道(80)由起始端至伸出端向與其靠近的所述主蒸發(fā)源(10)一側(cè)傾斜延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述輔助蒸發(fā)源(50)的蒸發(fā)通道(80)由起始端至伸出端向與其遠(yuǎn)離的所述主蒸發(fā)源(10)一側(cè)傾斜延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述輔助蒸發(fā)源(50)的蒸發(fā)通道(80)起始端至伸出端的連線與豎直方向具有第一傾斜角,所述第一傾斜角大于0°且小于等于30°。
5.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述輔助蒸發(fā)源(50)的蒸發(fā)通道(80)包括第一蒸發(fā)通道(81)和第二蒸發(fā)通道(83)。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述主蒸發(fā)源(10)的蒸發(fā)通道(70)由起始端至伸出端向所述輔助蒸發(fā)源(50)一側(cè)延伸。
7.如權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述主蒸發(fā)源(10)的蒸發(fā)通道(70)起始端至伸出端的連線與豎直方向具有第二傾斜角,所述第二傾斜角大于等于0°且小于等于45°。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述主蒸發(fā)源(10)的蒸發(fā)通道(70)包括第三蒸發(fā)通道和第四蒸發(fā)通道。
9.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,還包括角度限制板(90),所述角度限制板(90)支撐調(diào)節(jié)蒸發(fā)通道(70,80)的傾斜角度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述蒸發(fā)通道(70,80)構(gòu)造為蒸鍍材料噴嘴。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





