[實用新型]封裝器件結構和封裝器件

有效

• 申請號: 201721218542.1
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN207149552U
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 張乃千;楊瓊;張永勝;潘宇;馬浩;吳星星
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 徐彥圣

技術領域

本實用新型涉及微電子技術領域，具體而言，涉及一種封裝器件結構和封裝器件。

背景技術

隨著目前集成電路的不斷發展，其密集程度越來越大，但由于現有的封裝器件結構中的引線間距之間沒有足夠的空間放置匹配元件導致電路設計受限，其中，若增加外殼尺寸來滿足間距的要求，則會增加管殼的成本。與此同時，由于引線間距過小而引起的系統的記憶效應可能導致互調分量幅度增加或左右互調分量不對稱，進而造成標準線性化技術(DPD)效率低下，因此，如何在不增加封裝器件結構尺寸的前提下，增大引線間距已成為本領域技術人員的研究熱點。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種封裝器件結構和封裝器件，能夠有效解決上述問題。

避免灌封膠外溢現象，保證封裝的成品率。

本實用新型較佳實施例提供一種器件封裝結構，包括：

基板；

圍設于該基板上的墻體，所述墻體與所述基板形成一端開口的容置腔；

間隔設置在所述墻體遠離所述基板的一側的兩個第一電極層；

與所述第一電極層相對的位置間隔設置的兩個第二電極層；以及

分別與兩個所述第一電極層連接的第一引線以及分別與兩個所述第二電極層連接的第二引線；其中：

每個所述第一引線包括分別沿兩個相交的不同方向延伸的第一引線段以及第二引線段，該第一引線段位于所述第一電極層上方并與該第一電極層接觸；其中，兩個所述第一引線段之間的中心間距小于或等于兩個所述第二引線段之間的間距。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，每個所述第二引線包括分別沿兩個相交的不同方向延伸的第三引線段以及第四引線段，該第三引線段位于所述第二電極層上方并與該第二電極層接觸；其中，兩個所述第三引線段之間的中心間距小于或等于兩個所述第四引線段之間的間距。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述第二引線段垂直于所述第一引線段，使得所述第一引線段和所述第二引線段呈“T”型結構，所述第四引線段垂直于所述第三引線段，使得所述第三引線段和所述第四引線段呈“T”型結構。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述第二引線段垂直于所述第一引線段，使得所述第一引線段和所述第二引線段呈“L”型結構，所述第四引線段垂直于所述第三引線段，使得所述第三引線段和所述第四引線段呈“L”型結構。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，兩個所述第二引線段之間的間距及/或兩個所述第四引線段之間的間距為5.2mm-10mm。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述第二引線段的自度范圍為第一引線段長度的20％-90％；所述第四引線段的寬度范圍為第三引線段長度的20％-90％。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述墻體為陶瓷墻體。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述第二引線段或所述第四引線段的自由端設置有倒角。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述第一電極層為輸入電極層，所述第二電極層為輸出電極層，所述第一引線為輸入引線，所述第二引線為輸出引線；或者，所述第一電極層為輸出電極層，所述第二電極層為輸入電極層，所述第一引線為輸出引線，所述第二引線為輸入引線。

本實用新型較佳實施例一種封裝器件，包括芯片、鍵合引線和上述的器件封裝結構，所述芯片設置于所述器件封裝結構中的容置腔，所述芯片通過所述鍵合引線與所述器件封裝結構的第一引線和第二引線分別連接。

在本實用新型較佳實施例的選擇中，所述封裝器件結構還包括灌封膠，所述灌封膠覆蓋所述芯片和所述鍵合引線的至少部分面積。

與現有技術相比，本實用新型提供的封裝器件結構和封裝器件，通過對該封裝器件結構的巧妙設計，能夠避免現有技術中因引線間距過小而造成的外部電路無法合理布局的問題，提高該封裝器件結構的適用性。同時，本實用新型實現簡單，制造成本低，適用于大規模推廣。

另外，本實施例給出的封裝器件結構中的引線設置方式，能夠使得引線設置更加穩固，不易脫落，進而提高該封裝器件結構的使用性能。

為使本實用新型的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本實用新型的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。