[實用新型]氣源及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201721214289.2
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN207727146U
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 張軍;鄭波;馬振國;徐剛;文莉輝;胡云龍;吳鑫;王春;王曉娟;儲芾坪
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;C23C16/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本實用新型提供一種氣源及半導體加工設備，其包括用于盛放液源的腔體和用于加熱該液源的加熱裝置，該加熱裝置包括加熱件和棒狀熱電偶，其中，加熱件用于加熱熱源；棒狀熱電偶自腔體的外部貫穿腔體，并延伸至液源中，用于直接檢測液源的溫度。本實用新型提供的氣源，其可以避免因溫度反饋不及時而造成液源的實際溫度下降的問題，從而提高了控溫穩定性。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地，涉及一種氣源及半導體加工設備。

背景技術

化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，以下簡稱CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術。在進行化學氣相沉積工藝的過程中，將兩種或兩種以上的氣態原材料傳輸至反應腔室內，然后氣態原材料相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，并沉積到晶片表面上。

在CVD反應設備中，一般通過氣源向反應腔室內輸送工藝氣體。該氣源可以通過對液源進行加熱而產生工藝氣體。現有的液源包括用于盛放液源的腔體，且在該腔體的側壁和底部設置有加熱帶，用于通過加熱腔體，來間接加熱液源。并且，在腔體的側壁和底部還設置有熱電偶，用于檢測腔體的溫度，以根據該溫度控制加熱帶的加熱功率，形成對液源溫度的閉環控制。

在實際應用中，當腔體中的氣體被輸出之后，氣體會帶走熱量，導致液源的溫度降低。但是，由于熱電偶不是直接對液源溫度測量，這使得熱電偶對液源溫度的變化靈敏度不高，導致溫度反饋的不及時，從而造成液源的實際溫度呈下降趨勢，進而影響控溫穩定性。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種氣源及半導體加工設備，其可以避免因溫度反饋不及時而造成液源的實際溫度下降的問題，從而提高了控溫穩定性。

為實現本實用新型的目的而提供一種氣源，包括用于盛放液源的腔體和用于加熱所述液源的加熱裝置，所述加熱裝置包括加熱件和棒狀熱電偶，其中，

所述加熱件用于加熱所述熱源；

所述棒狀熱電偶自所述腔體的外部貫穿所述腔體，并延伸至所述液源中，用于直接檢測所述液源的溫度。

優選的，所述棒狀熱電偶自所述腔室的頂部垂直地延伸至所述液源中；

在所述棒狀熱電偶位于所述腔體中的部分設置有多個溫度感應點，多個所述溫度感應點沿垂直方向間隔設置，每個所述溫度感應點用于檢測所在深度的溫度。

優選的，所述棒狀熱電偶包括棒狀主體，所述棒狀主體自所述腔體的頂部垂直地延伸至所述液源中；并且，在所述棒狀主體的上端設置有接頭，用于與所述腔體密封連接。

優選的，所述加熱件包括加熱棒，所述加熱棒自所述腔室的頂部垂直地延伸至所述液源中。

優選的，所述加熱棒的下端與所述腔體的底部之間具有間距；所述間距的取值范圍在4～5mm。

優選的，所述加熱棒為多個，且以所述腔體的豎直軸線為中心對稱分布。

優選的，在所述加熱棒上設置有法蘭，所述法蘭設置在所述腔體的頂部，且所述法蘭與所述腔體固定連接。

優選的，所述氣源還包括控制單元，所述控制單元用于接收來自所述棒狀熱電偶檢測的所述液源的溫度，并根據該溫度控制所述加熱件的加熱功率。

優選的，在所述腔體的外周壁上環繞設置有第一保溫帶，且在所述腔體的底部設置有第二保溫帶，所述第一保溫帶和所述第二保溫帶用于對所述腔體進行保溫。

作為另一個技術方案，本實用新型還提供一種半導體加工設備，包括反應腔室和用于向所述反應腔室內輸送工藝氣體的氣源，所述氣源采用本實用新型提供的上述氣源。

本實用新型具有以下有益效果：