[實(shí)用新型]氫化鎂制備設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721181631.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207659078U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄒建新;丁文江 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海鎂源動(dòng)力科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B6/04 | 分類號(hào)： | C01B6/04 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 黃慶芳 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氫化鎂 制備設(shè)備 加熱室 過(guò)渡倉(cāng) 加熱器 反應(yīng)室 收集室 閥門(mén) 鎂粉 本實(shí)用新型 制備方法步驟 外部氫氣源 粒徑控制 氫化反應(yīng) 上端開(kāi)口 氫氣 投料口 導(dǎo)管 制備 加熱 移動(dòng) | ||
1.一種氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述氫化鎂制備設(shè)備包括：
過(guò)渡倉(cāng)，所述過(guò)渡倉(cāng)包括投料口；
加熱室，所述加熱室通過(guò)第一閥門(mén)與所述過(guò)渡倉(cāng)相連接；
加熱器，所述加熱器的上端開(kāi)口并能夠通過(guò)所述第一閥門(mén)在所述過(guò)渡倉(cāng)與所述加熱室之間移動(dòng)，所述加熱器用于在所述加熱室中加熱該加熱器中放置的鎂原料；
收集室，所述收集室通過(guò)導(dǎo)管與所述加熱室相連通以收集鎂粉；和
反應(yīng)室，所述反應(yīng)室通過(guò)第二閥門(mén)與所述收集室相連通以接收所述鎂粉，并且所述反應(yīng)室與外部氫氣源相連通以接收氫氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述加熱室還包括加熱室充氣口以充入惰性氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述氫化鎂制備設(shè)備還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置與所述過(guò)渡倉(cāng)相連接，并且所述過(guò)渡倉(cāng)還設(shè)置有過(guò)渡倉(cāng)充氣口以充入惰性氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述氫化鎂制備設(shè)備還包括導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌穿過(guò)所述第一閥門(mén)設(shè)置在所述過(guò)渡倉(cāng)與所述加熱室內(nèi)，并且所述導(dǎo)軌與第一控制電源相連接以傳送所述加熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述加熱器包括：
坩堝，所述坩堝用于盛放鎂原料；
電感線圈，所述電感線圈圍繞所述坩堝的外側(cè)設(shè)置以加熱鎂原料；和
第二控制電源，所述第二控制電源與所述電感線圈線連接以控制加熱溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述坩堝的材料為氮化硼、石墨、氧化鎂以及不銹鋼中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述導(dǎo)管連接到所述加熱室的一端具有橫截面積不斷擴(kuò)大的第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口朝向所述加熱器的上端設(shè)置以收集鎂蒸汽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述導(dǎo)管的外側(cè)設(shè)置有第一電阻絲保溫層，并且所述第一電阻絲保溫層與第三控制電源相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述收集室還包括：
電動(dòng)粉刷，所述電動(dòng)粉刷具有水平桿和豎直桿，所述水平桿的兩端設(shè)置有能夠與所述收集室的內(nèi)壁接觸的刷頭，所述豎直桿連接到所述水平桿的中點(diǎn)位置，以使所述水平桿能夠在第四控制電源的控制下圍繞所述豎直桿水平旋轉(zhuǎn)并能夠沿所述豎直桿的軸向方向上下移動(dòng)；
鎂粉出口，所述鎂粉出口設(shè)置在所述收集室的底部并與所述第二閥門(mén)相連通；和
冷卻層，所述收集室的外側(cè)設(shè)置有冷卻層以冷卻所述收集室內(nèi)的鎂蒸汽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述冷卻層為循環(huán)水冷卻層，所述循環(huán)水冷卻層與外部水源相連通。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述導(dǎo)管連接到所述收集室的一端具有橫截面不斷擴(kuò)大的第二開(kāi)口。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述反應(yīng)室還包括第二電阻絲保溫層，所述第二電阻絲保溫層與第五控制電源相連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化鎂制備設(shè)備，其中，所述鎂原料為純鎂、鎂鋁合金、鎂-稀土、鎂鋯合金、鎂-鎳、鎂-錳中的一種。
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