[實用新型]一種太陽能電池

有效

• 申請號: 201721180307.X
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN207489882U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 孫海杰;鄭霈霆;金浩;張昕宇;許佳平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本實用新型公開了一種太陽能電池，所述電池包括太陽能基板和電極；所述太陽能基板包括襯底層、設置在所述襯底層正面的摻雜層、設置在所述襯底層背面的第一氧化硅膜層和鈍化層，所述第一氧化硅膜層設置在所述襯底層和所述鈍化層之間；所述電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極設置在所述太陽能基板的正面，連接所述摻雜層；所述第二電極設置在所述太陽能基板的背面，連接所述襯底層；上述太陽能電池，通過在襯底層的背面制備一層氧化硅膜層來提高電池背面抗PID的能力。

技術領域

本實用新型涉及光伏電池領域，特別是涉及一種P型太陽能電池。

背景技術

隨著晶硅太陽能電池技術的不斷革新，目前有關電池技術也得到了顯著的發展，近年來電池也開始進行產業化的生產。

但是如何讓太陽能電池抗PID(potential Induced Degradation中文名：潛在電勢誘導衰減)，尤其是讓太陽能電池背面抗PID這一技術難題一直是困擾著各公司。

對于太陽能電池的背面，通常是設有氧化鋁膜層作為鈍化層，以減少太陽能電池背面的載流子復合。但是當太陽能電池長時間在高電壓下工作，可能會使得太陽能電池與封裝材料之間形成漏電流。當大量的電荷聚集在太陽能電池的表面時，會使得太陽能電池表面的鈍化層的鈍化效果惡化，從而加劇太陽能電池背面的載流子復合，從而降低太陽能電池的FF(填充因子)、Jsc(短路電流)、Voc(開路電壓)。

有關所述漏電流的形成，通常是由于水蒸氣進入封裝材料與太陽能電池之間后，會發生反應生成帶電離子，并且由于太陽能電池的邊框通常是接地的，會存在偏壓，在偏壓的作用下，會產生漏電流。長期的漏電流會腐蝕太陽能電池的鈍化層，從而降低太陽能電池的FF、Jsc、Voc等參數。

現有技術中，通常是將電池背面的氧化鋁膜層加厚，以獲得更佳的抗PID性能；但是在現有技術中，通過加厚氧化鋁膜層所制得的電池仍然存在背面抗PID失效的風險。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種太陽能電池，該電池具有較高的背面抗PID能力。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種太陽能電池，所述電池包括太陽能電池基板和電極；所述太陽能基板包括襯底層、設置在所述襯底層正面的摻雜層、設置在所述襯底層背面的第一氧化硅膜層和鈍化層，所述第一氧化硅膜層設置在所述襯底層和所述鈍化層之間；

所述電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極設置在所述太陽能基板的正面，連接所述摻雜層；所述第二電極設置在所述太陽能基板的背面，連接所述襯底層。

可選的，所述電池還包括設置在N型摻雜層表面的第二氧化硅膜層。

可選的，所述電池還包括減反膜，所述減反膜設置在所述鈍化層和所述第二氧化硅膜層表面。

可選的，所述襯底層為硅襯底層。

可選的，所述襯底層為P型硅襯底層，所述摻雜層為N型摻雜層。

可選的，所述鈍化層為氧化鋁膜層。

可選的，所述第一電極為銀電極；所述第二電極為鋁電極。

可選的，所述襯底層的電阻率的取值范圍為1Ω·cm至5Ω·cm。

可選的，所述摻雜層的方塊電阻的取值范圍為：70Ω/□至120Ω/□。

可選的，所述第一氧化硅膜層的厚度的取值范圍為：5nm至15nm。

本實用新型所提供的一種太陽能電池，通過在襯底層的背面制備一層氧化硅膜層來提高電池背面抗PID的能力；由于氧化硅膜層具有優異的絕緣性、熱穩定性、抗腐蝕等優點，可以有效降低漏電流對電池背面的影響；并且氧化硅膜層的成本非常低，并且制備簡單。

附圖說明