[實(shí)用新型]一種用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分選設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721157040.2
• 申請(qǐng)日: 2017-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN207517718U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉佳擎;李慶;陳立人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本實(shí)用新型提供一種用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分選設(shè)備，所述吸嘴包括軸向連接的吸嘴體和吸嘴頭，所述吸嘴頭用于接觸所述LED晶片并對(duì)LED晶片進(jìn)行吸附；且在所述吸嘴體中設(shè)置有線圈，在所述線圈通電時(shí)，所產(chǎn)生的磁場能夠吸附所述吸嘴頭所接觸的LED晶片。從而在使用該吸嘴吸附LED晶片時(shí)，通過精確控制線圈中的電流的強(qiáng)度值，就可以精確的控制該線圈所產(chǎn)生的磁場的磁場強(qiáng)度，進(jìn)而精確的控制該磁場吸附LED晶片的力度，從而可以有效的防止在吸附的過程中，該LED晶片被損壞的可能性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分選設(shè)備。

背景技術(shù)

LED（Light Emitting Diode，發(fā)光二極管）晶片的分選是一道重要的LED封裝工藝，在LED晶片的分選過程中，需要拾取LED晶片；在現(xiàn)有技術(shù)中，一般都是通過吸嘴2來拾取LED晶片，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述吸嘴2設(shè)置有軸向的通孔25，該通孔25的第一端連接有真空管，第二端用于接觸LED晶片，當(dāng)?shù)诙宋挥贚ED晶片上方且觸碰LED晶片時(shí)，控制真空管開啟真空，則該LED晶片就被緊緊的吸附于通孔25的第二端；可以理解的是，由于LED晶片非常脆弱，所以在打開真空管時(shí)，在LED晶片被吸附到通孔的第二端的過程中，LED晶片很容易被破壞；因此，需要控制通孔25吸附LED晶片的力度，但是通過真空管來控制該力度的是很困難的，且精度也不高。

因此，設(shè)計(jì)一種能精細(xì)的控制吸附LED晶片的力度的吸嘴，就成為一個(gè)亟待解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目在于提供一種用于吸附LED晶片的吸嘴及具有其的分選設(shè)備。

為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的之一，本實(shí)用新型一實(shí)施方式提供了一種LED晶片，所述LED晶片的金屬基座包括磁性金屬材料。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁性金屬材料包含鐵、鎳或鉻。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED晶片從下往上依次包括：包含有磁性金屬材料的金屬基座；P型GaN層；多量子阱層；N型GaN層；N-PAD層。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述吸嘴包括軸向連接的吸嘴體和吸嘴頭，所述吸嘴頭用于接觸所述LED晶片并對(duì)LED晶片進(jìn)行吸附；且在所述吸嘴體中設(shè)置有線圈，在所述線圈通大于預(yù)設(shè)強(qiáng)度的電流時(shí)，所產(chǎn)生的磁場能夠吸附所述吸嘴頭所接觸的LED晶片。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述吸嘴包括軸向連接的吸嘴體和吸嘴頭，包括：所述吸嘴包括軸向可拆卸連接的吸嘴體和吸嘴頭。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述吸嘴頭的底部設(shè)置有孔，所述孔的截面形狀包括圓形或正方形。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述吸嘴頭采用非磁性材料制成。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述吸嘴體中設(shè)置有能夠感應(yīng)所述LED晶片位置的位置感應(yīng)器。

本實(shí)用新型一實(shí)施方式還提供了一種用于上述吸嘴的吸附LED晶片的方法，包括以下步驟：移動(dòng)所述吸嘴，直至吸嘴中的吸嘴頭接觸所述LED晶片；給所述吸嘴中的線圈通預(yù)設(shè)強(qiáng)度的電流。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述移動(dòng)所述吸嘴，直至吸嘴中的吸嘴頭接觸所述LED晶片，包括：水平持續(xù)移動(dòng)所述吸嘴，直至所述位置感應(yīng)器感應(yīng)到所述LED晶片的位置；依據(jù)所述LED晶片的位置，將所述吸嘴的吸嘴頭水平移動(dòng)到所述LED晶片的上側(cè)；垂直移動(dòng)所述吸嘴，使得所述吸嘴頭接觸所述LED晶片。

作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，該吸附LED晶片的方法還包括以下步驟：水平移動(dòng)所述吸嘴至目標(biāo)位置；斷開所述吸嘴中線圈的電流。