[實用新型]承載組件和高分子薄膜極化裝置有效
| 申請號: | 201721146225.3 | 申請日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN207489827U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 王開安 | 申請(專利權)人: | 王開安 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L41/257 |
| 代理公司: | 深圳市智享知識產權代理有限公司 44361 | 代理人: | 王琴;蔣慧 |
| 地址: | 美國加利福*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高分子薄膜 金屬載板 掩板 承載組件 本實用新型 蓋合 極化裝置 極化 承載 薄膜技術領域 活動連接 接地 載板 開口 損傷 合格率 生產 | ||
本實用新型涉及薄膜技術領域,尤其涉及一種承載組件和高分子薄膜極化裝置。本實用新型的承載組件包括金屬載板、掩板,所述金屬載板接地設置,用于承載高分子薄膜器件,所述掩板與金屬載板活動連接,并可與金屬載板蓋合,所述掩板上開設開口以與金屬載板蓋合后露出高分子薄膜器件上需要極化的高分子薄膜,且掩板與金屬載板蓋合后,掩板與承載在載板上的高分子薄膜器件之間存在間隙。本實用新型的承載組件,防止了在極化前掩板對高分子薄膜器件上的高分子薄膜造成損傷,提高了生產合格率。
【技術領域】
本實用新型涉及薄膜技術領域,尤其涉及一種承載組件和高分子薄膜極化裝置。
【背景技術】
極化是薄膜材料處理中的一個重要環節,主要目的是使薄膜材料中雜亂取向的分子偶極矩獲得特定方向(如極化電場方向)的一致取向,從而使該薄膜材料具有壓電性能。
薄膜極化通常直接將薄膜材料置于電極之間,利用電極產生的高壓電場完成極化,但是在極化過程中非常容易將薄膜材料擊穿,生產合格率很低,基本不能大規模生產。
【實用新型內容】
針對現有薄膜極化生產合格率低的問題,本實用新型提供一種承載組件和高分子薄膜極化裝置。
本實用新型解決技術問題的方案是提供一種承載組件,用于在極化過程中承載高分子薄膜器件,所述高分子薄膜器件包括基底以及設置在基底一表面的高分子薄膜,所述承載組件包括金屬載板、掩板,所述金屬載板接地設置,用于承載高分子薄膜器件,所述掩板與金屬載板活動連接,并可與金屬載板蓋合,所述掩板上開設開口以與金屬載板蓋合后露出高分子薄膜器件上需要極化的高分子薄膜,且掩板與金屬載板蓋合后,掩板與承載在載板上的高分子薄膜器件之間存在間隙。
優選地,所述間隙的大小為1um ̄2mm。
優選地,所述掩板為柔性塑膠材料制成并可在極化過程中靜電吸附在高分子薄膜器件上。
優選地,所述掩板的厚度為0.1mm ̄10mm。
優選地,所述掩板的介電強度大于14Mv/m。
優選地,所述載板包括收納區域和非收納區域,所述高分子薄膜器件放置在收納區域,所述掩板與載板的非收納區域活動連接。
優選地,所述高分子薄膜器件靠近掩板的表面距離掩板的距離要小于載板靠近掩板的表面距離掩板的距離,所述掩板與高分子薄膜器件之間留有空隙。
優選地,所述高分子薄膜器件靠近掩板的表面距離掩板的距離要大于載板靠近掩板的表面距離掩板的距離,但掩板與高分子薄膜器件之間仍留有空隙。
本發明還提供一種高分子薄膜極化裝置,所述高分子薄膜極化裝置采用如上所述的承載組件。
優選地,所述高分子薄膜極化裝置進一步包括電場組件,所述電場組件設置在高分子薄膜遠離基底的表面的上方,所述電場組件用于對露出的高分子薄膜進行極化。
與現有技術相比,本實用新型的承載組件,包括金屬載板、掩板,所述金屬載板接地設置,用于承載高分子薄膜器件,所述掩板與金屬載板活動連接,并可與金屬載板蓋合,所述掩板上開設開口以與金屬載板蓋合后露出高分子薄膜器件上需要極化的高分子薄膜,且掩板與金屬載板蓋合后,掩板與承載在載板上的高分子薄膜器件之間存在間隙。本實用新型的承載組件,防止了在極化前掩板對高分 子薄膜器件上的高分子薄膜造成損傷,提高了生產合格率。
進一步的,所述間隙的大小為1um-2mm,進一步優選1um ̄0.5mm,既確保掩板不會壓在高分子薄膜上,又保證在極化過程中掩板可以與高分子薄膜器件吸附貼合。
進一步的,在進行極化的過程中,所述掩板可與高分子薄膜器件吸附貼合,從而確保了掩板的遮蓋精度,防止極化過程中產生的電荷流入到掩板與高分子薄膜器件之間的間隙中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





