[實用新型]一種內置連接半橋電路的封裝裝置有效
| 申請號: | 201721139811.5 | 申請日: | 2017-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN207233731U | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 廖兵;沈禮福 | 申請(專利權)人: | 蘇州達晶微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/495 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 內置 連接 電路 封裝 裝置 | ||
1.一種內置連接半橋電路的封裝裝置,它包含塑封部分(1)、第一引腳(21)、第二引腳(22)、第三引腳(23)、第四引腳(24)、第五引腳(25);其特征在于:所述塑封部分(1)中設有互不電性連接的第一載芯板(31)和第二載芯板(32),其中第一載芯板(31)下端與第二引腳(22)相連接,第二載芯板(32)四周與第一載芯板(31)相互間隔絕緣,第二載芯板(32)下端與第三引腳(23)相連接,所述的第一載芯板(31)上焊接有上橋MOSFET芯片(61);第二載芯板(32)上焊接有下橋MOSFET芯片(62);所述第一引腳(21)為上橋MOSFET的柵極,第二引腳(22)為上橋MOSFET的漏極,第三引腳(23)既是上橋MOSFET的源極,也是下橋MOSFET的漏極,第四引腳(24)是下橋MOSFET的柵極,第五引腳(25)是下橋MOSFET的源極;同時第一引腳(21)或第二引腳(22)均與第三引腳(23)無電性連接。
2.根據權利要求1所述的一種內置連接半橋電路的封裝裝置,其特征在于:所述的所述第一載芯板(31)頂端與塑封定位孔(41)相連接,底端則與第二引腳(22)相連接。
3.根據權利要求1所述的一種內置連接半橋電路的封裝裝置,其特征在于:所述的塑封部分(1)的寬度為15.5mm,長度為20.5mm。
4.根據權利要求1所述的一種內置連接半橋電路的封裝裝置,其特征在于:所述的第一載芯板(31)面積與第二載芯板(32)面積之和不大于TO-247封裝框架的面積,且第二載芯板(32)的面積可調。
5.根據權利要求1所述的一種內置連接半橋電路的封裝裝置,其特征在于:所述的第一引腳(21)、第二引腳(22)、第三引腳(23)、第四引腳(24)、第五引腳(25)伸出塑封部分(1)的長度大于1.0cm,引腳寬度都大于1.0mm。
6.根據權利要求1所述的一種內置連接半橋電路的封裝裝置,其特征在于:所述第二引腳(22)與第三引腳(23)的間距大于1mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州達晶微電子有限公司,未經蘇州達晶微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721139811.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:信息傳輸裝置、方法以及通信系統
- 下一篇:MTC操作的隨機接入過程
- 同類專利
- 專利分類





