[實(shí)用新型]陣列基板和顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721113989.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207233734U | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯文軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人: | 牛南輝,李崢 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。更具體地,涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
相比于其它類型的顯示器件(例如,液晶顯示單元),OLED顯示器件因其輕薄、低功耗、高對(duì)比度、高色域、不需要背光照明等優(yōu)點(diǎn),作為下一代顯示器被廣泛研究并得到初步應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
在OLED器件中,存在電壓降的現(xiàn)象,從而導(dǎo)致發(fā)光效率的降低。
本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,至少能夠提高導(dǎo)電層和第二電極之間的電連接,從而至少能夠部分地提高 OLED器件的發(fā)光效率。
本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提供一種陣列基板。
本實(shí)用新型的第一方面提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括:形成在襯底基板上的導(dǎo)電層;
形成在所述導(dǎo)電層上的介質(zhì)層,其中,所述介質(zhì)層具有暴露所述導(dǎo)電層的開口,所述開口在襯底基板上的垂直投影位于像素間隔區(qū)的至少一部分內(nèi);
形成在所述介質(zhì)層上的第一電極;
具有在所述第一電極上的第一部分和所述開口中的所述導(dǎo)電層上的第二部分的發(fā)光層;
形成在所述發(fā)光層上第二電極;
設(shè)置在所述發(fā)光層的所述第二部分中的電連接,以提供所述導(dǎo)電層到所述第二電極的電連接,并且其中,所述電連接部的導(dǎo)電性大于所述發(fā)光層的導(dǎo)電性。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述電連接部具有包括磁性顆粒和導(dǎo)電高分子的復(fù)合材料。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述磁性顆粒沿所述電連接部的凸出方向具有逐漸增加的聚集水平。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述磁性顆粒包括下列中的至少一種:磁性金屬及其合金以及磁性氧化物;
所述導(dǎo)電高分子材料包括下列中的至少一種:聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述電連接部的頂部在所述襯底基板的表面上的投影的面積小于所述電連接部的底部在所述襯底基板的表面上的投影的面積。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述電連接部的坡度角的范圍為75~90度。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述陣列基板,還包括限定像素間隔區(qū)的像素定義層,在所述像素間隔區(qū)的所述至少一部分內(nèi),所述像素定義層具有另一開口,所述像素定義層的所述另一開口與所述介質(zhì)層的所述開口對(duì)準(zhǔn)。
本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種顯示面板。
本實(shí)用新型的第二方面提供了一種顯示面板。所述顯示面板包括如上所述的陣列基板。
本實(shí)用新型的又一個(gè)目的在于提供一種陣列基板。
本實(shí)用新型的第三方面提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括如上所述的顯示面板。
本實(shí)用新型的實(shí)施例所提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置,通過形成在襯底基板上的導(dǎo)電層;形成在所述導(dǎo)電層上的介質(zhì)層,其中,所述介質(zhì)層具有暴露所述導(dǎo)電層的開口,所述開口在襯底基板上的垂直投影位于像素間隔區(qū)的至少一部分內(nèi);形成在所述介質(zhì)層上的第一電極;具有在所述第一電極上的第一部分和所述開口中的所述導(dǎo)電層上的第二部分的發(fā)光層;形成在所述發(fā)光層上第二電極;設(shè)置在所述發(fā)光層的所述第二部分中的電連接,以提供所述導(dǎo)電層到所述第二電極的電連接,并且其中,所述電連接部的導(dǎo)電性大于所述發(fā)光層的導(dǎo)電性,能夠至少部分地提高導(dǎo)電層和第二電極之間的電連接,從而至少能夠部分地提高OLED器件的發(fā)光效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型的實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)要說明,應(yīng)當(dāng)知道,以下描述的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,而非對(duì)本實(shí)用新型的限制,其中:
圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的示意圖;
圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的示意圖;
圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的俯視示意圖;
圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的顯示面板的示意圖;
圖5為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖;
圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的形成電連接部的方法的流程示意圖;
圖7為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的制造方法的流程示意圖;
圖8為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





