[實用新型]抗靜電LED封裝結構

有效

• 申請號: 201721045795.3
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN207082545U
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 周福新;賴春桃;林文峰
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 鄧義華,陳衛

技術領域

本實用新型涉及LED技術領域，更具體地涉及抗靜電LED封裝結構。

背景技術

發光二極管（LED）由于其功率小，耗電低，壽命長等優點而廣受人們關注。隨著LED技術的發展，LED發光裝置被用于越來越多的領域，其光通量和可靠性也越來越受到人們的關注。

LED晶片在電性導通時可以發光，但是在長期使用過程中，LED晶片上會積累大量靜電電荷，當靜電電荷累積到一定程度時，靜電將會釋放從而擊穿LED晶片導致LED損壞。在一般的發光二極管封裝結構中，通常會在LED晶片并排設置一齊納二極管，用于防治突波或靜電造成元件電路受損，但這種結構的不足之處在于齊納二極管會影響到LED的發光，降低其亮度。通過作出進一步改進，如中國實用新型專利（申請號為201310369138.4）公開了發光二極管封裝結構及其制造方法，其通過在基板上表面設發光二極管芯片，在基板上表面開設容置槽并將齊納二極管置于所述容置槽內，再將容置槽中形成一覆蓋齊納二極管的反射層，從而提高發光亮度，但由于該專利的發光二極管芯片與齊納二極管仍處于同一個朝向，此設置仍有光線損失，亮度提升效果有限。

實用新型內容

為了解決所述現有技術的不足，本實用新型提供了一種抗靜電LED封裝結構，所述LED封裝結構解決了靜電影響的同時使LED的亮度與現有技術相比提升5%-15%。

本實用新型所要達到的技術效果通過以下方案實現：一種抗靜電LED封裝結構，其特征在于，包括一支架、LED晶片和齊納二極管，所述支架包括上部和下部，所述支架的上部呈內凹開口狀，所述內凹開口的底表面形成基板，所述LED晶片設置在基板上，所述LED晶片的正、負極通過鍵合線與基板上金屬引腳的正、負極焊接，所述支架的下部底表面或者下部側表面開設容置槽，所述齊納二極管倒裝焊接設置在容置槽內，所述齊納二極管的正、負極與金屬引腳的正、負極焊接以實現LED晶片與齊納二極管的并聯。

優選地，所述齊納二極管焊接后，所述容置槽內增加滴膠以固定保護所述齊納二極管。

優選地，所述鍵合線為金線。

優選地，所述上部內凹開口區填充熒光膠體。

優選地，所述熒光膠體采用透明材質的硅或者環氧樹脂，所述熒光的材質選自石榴石、硅酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物中之一或幾種組合的化合物。

優選地，所述支架為正方體、圓柱體或者元寶形。

本實用新型具有以下優點：

通過將齊納二極管設置在支架的下部底表面或者下部側表面的容置槽中，可以完全避免齊納二極管對LED晶片所發出的光線的吸收，從而大大提高LED封裝結構的出光亮度，可使LED晶片的亮度增加5%-15%，且保持LED晶片的抗靜電能力不變。

附圖說明

圖1為本實用新型中抗靜電LED封裝結構的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型進行詳細的說明。

如圖1所示，為本實用新型提供的抗靜電LED封裝結構，包括一支架1、LED晶片2和齊納二極管3，所述支架1包括上部11和下部12，所述支架1的上部11呈內凹開口狀，所述內凹開口的底表面形成基板13，所述LED晶片2設置在基板13上，所述LED晶片2的正、負極通過鍵合線4與基板13上金屬引腳5的正、負極焊接。所述上部11內凹開口區域填充熒光膠體7以便將LED晶片2封裝。為了防止LED晶片2被靜電或反向電流擊穿，所述支架1的下部12底表面或者下部側表面開設容置槽6，所述齊納二極管3倒裝焊接設置在容置槽6內，無需焊鍵合線，所述齊納二極管3的正、負極與金屬引腳5的正、負極焊接以實現LED晶片2與齊納二極管3的并聯，所述齊納二極管3可以將靜電通過齊納二極管3釋放出去，大大增強了LED晶片2的抗靜電釋放性能，且通過將齊納二極管3設置在下部12使所述LED晶片2的空間更大，平整度好，亮度大大提高。

本實用新型的LED封裝結構中，因為齊納二極管3設置在支架1的下部12底表面或者下部12側表面的容置槽6中，可以完全避免齊納二極管3對LED晶片2所發出的光線的吸收，從而大大提高LED封裝結構的出光亮度，可使LED晶片2的亮度增加5%-15%，且保持LED晶片2的抗靜電能力不變。

作為進一步改進，所述齊納二極管3焊接后可在容置槽6內增加滴膠以固定保護所述齊納二極管3。

作為進一步改進，所述鍵合線4可以為金線、銀線或其他導線。