[實(shí)用新型]電磁爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721045205.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207053823U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙禮榮;孫鵬剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江紹興蘇泊爾生活電器有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H05B6/06 | 分類(lèi)號(hào): | H05B6/06 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 劉丹,黃健 |
| 地址: | 312017*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁爐 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電路結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電磁爐。
背景技術(shù)
電磁爐由于具有熱效率高、無(wú)油煙、可移動(dòng)、方便簡(jiǎn)潔等特點(diǎn),應(yīng)用的越來(lái)越廣泛。電磁爐的加熱原理可簡(jiǎn)單理解為:驅(qū)動(dòng)電路向開(kāi)關(guān)器件發(fā)送一定頻率的脈沖信號(hào),使得開(kāi)關(guān)器件在導(dǎo)通與關(guān)斷間切換。開(kāi)關(guān)器件通常選用絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)。當(dāng)IGBT導(dǎo)通,諧振電路充電;當(dāng)IGBT關(guān)斷,諧振電路放電,產(chǎn)生交變磁場(chǎng),交變磁場(chǎng)切割放置在電磁爐上的鍋具對(duì)其進(jìn)行加熱。
目前,最接近的現(xiàn)有技術(shù)是申請(qǐng)?zhí)枮?00710030279.8的一種電磁爐的可編程IGBT驅(qū)動(dòng)電路裝置,該裝置包括可編程IGBT驅(qū)動(dòng)電路控制芯片裝置、脈寬調(diào)控電路。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中脈寬調(diào)控電路的原理圖。如圖1所示,該脈寬調(diào)控電路主要由低功耗雙電壓比較器LM393、8050型三極管Q2及8550型三極管Q1構(gòu)成,并搭配電阻R34、R5、R6、R7和電容C4實(shí)現(xiàn),關(guān)于各器件的具體連接方式參見(jiàn)圖1所示。現(xiàn)有技術(shù)的該裝置能夠?qū)GBT驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行全方位監(jiān)測(cè)和精確控制,有利于延長(zhǎng)IGBT的使用壽命和簡(jiǎn)化脈寬調(diào)控電路的結(jié)構(gòu),提高了電磁爐的可靠性。
然而,上述裝置中的元器件較多,電路復(fù)雜,成本高,因而可能出現(xiàn)電磁爐可靠度低的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決背景技術(shù)中提到的至少一個(gè)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種電磁爐,用于解決現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,成本高,電磁爐可靠度低的問(wèn)題。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種電磁爐,包括:IGBT和用于控制所述IGBT開(kāi)閉的驅(qū)動(dòng)電路,所述驅(qū)動(dòng)電路包括:控制組件和與所述控制組件連接的電流放大電路,其中,所述控制組件包括相互連接的脈沖產(chǎn)生單元和電平轉(zhuǎn)換單元,所述電平轉(zhuǎn)換單元與所述電流放大電路連接;
所述脈沖產(chǎn)生單元用于產(chǎn)生脈沖信號(hào),所述電平轉(zhuǎn)換單元用于根據(jù)所述脈沖信號(hào)的電平值輸出所述IGBT的控制信號(hào),所述電流放大電路用于根據(jù)所述IGBT的控制信號(hào)控制所述IGBT的開(kāi)閉。
在本實(shí)施例中,IGBT的驅(qū)動(dòng)電路包括控制組件和電流放大電路,相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),電路簡(jiǎn)單,零散的元器件較少,簡(jiǎn)化了成本,解決電磁爐可靠度低的問(wèn)題。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中,所述控制組件還包括:連接在所述脈沖產(chǎn)生單元和所述電平轉(zhuǎn)換單元之間的反相延時(shí)單元;
所述反相延時(shí)單元用于控制所述脈沖產(chǎn)生單元輸出的脈沖信號(hào)的寬度和所述脈沖信號(hào)作用于所述電平轉(zhuǎn)換單元的時(shí)間,以控制所述電平轉(zhuǎn)換單元輸出所述IGBT的控制信號(hào)。
在該實(shí)施例中,可以利用反相延時(shí)單元的反相特性控制脈沖信號(hào)的高電平寬度,利用反相延時(shí)單元的延時(shí)特性控制脈沖信號(hào)作用于電平轉(zhuǎn)換單元的時(shí)間,即利用反相延時(shí)單元的反相特性和延時(shí)特性可以自由調(diào)整控制組件輸出的電平極性,為合理有效控制IGBT的導(dǎo)通或關(guān)閉奠定了基礎(chǔ),進(jìn)而可以保證電磁爐的正常工作。
在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中,所述控制組件還包括:與所述反相延時(shí)單元連接的用戶操作區(qū);
所述用戶操作區(qū)用于接收用戶的輸入指令以控制所述反相延時(shí)單元的工作狀態(tài)。
在本實(shí)施例中,通過(guò)該用戶操作區(qū)可以精確控制經(jīng)過(guò)反相延時(shí)單元的脈沖信號(hào)的脈沖寬度和脈沖信號(hào)作用于電平轉(zhuǎn)換單元的時(shí)間,提高了該驅(qū)動(dòng)電路的可靠度。
在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中,所述控制組件為控制芯片,所述脈沖產(chǎn)生單元、所述電平轉(zhuǎn)換單元、所述反相延時(shí)單元和所述用戶操作區(qū)均集成在所述控制芯片上。
在本實(shí)施例中,當(dāng)控制組件采用控制芯片實(shí)現(xiàn)時(shí),可以首先確定脈沖產(chǎn)生單元、電平轉(zhuǎn)換單元、反相延時(shí)單元和用戶操作區(qū)在控制芯片上的布局,并分別將其集成在該控制芯片上,這樣能夠簡(jiǎn)化上述驅(qū)動(dòng)電路,減少控制芯片的外圍電路,方便電路板設(shè)計(jì),可靠度高。
在本實(shí)用新型的上述任一實(shí)施例中,所述電平轉(zhuǎn)換單元包括:第一三極管,所述第一三極管用于在所述脈沖信號(hào)處于高電平時(shí)輸出所述電流放大電路的基準(zhǔn)電壓。
本實(shí)施例中,由于電平轉(zhuǎn)換單元包括第一三極管,利用第一三極管的放大特性可以在脈沖信號(hào)處于高電平時(shí)得到電流放大電路的基準(zhǔn)電壓,也即,IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓,為驅(qū)動(dòng)IGBT奠定了基礎(chǔ)。
在本實(shí)施例的上述實(shí)施例中,在所述脈沖信號(hào)處于高電平時(shí),所述第一三極管處于飽和狀態(tài),所述第一三極管的輸出電壓為0V,在所述脈沖信號(hào)處于低電平時(shí),所述第一三極管處于截止?fàn)顟B(tài),所述第一三極管的輸出電壓等于所述電流放大電路的基準(zhǔn)電壓。
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