[實用新型]新型溝槽式碳化硅MOS管

有效

• 申請號: 201721005548.0
• 申請日: 2017-08-12
• 公開（公告）號: CN207116439U
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 關仕漢
• 申請（專利權）人: 淄博漢林半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所37223
• 代理人: 商曉

1.新型溝槽式碳化硅MOS管，包括襯底，在襯底上方依次設置有半導體類型與襯底相同的外延層和半導體類型相反的基區，設置有若干溝槽，溝槽自上而下穿過基區并進入漂移區，溝槽內設置柵極（7），在溝槽的兩側設置源區，在溝槽的內表面及其上部設置有同時連接溝槽兩側源區的氧化層（8），形成MOS結構，其特征在于：所述的源區連接相鄰的溝槽，所述的氧化層（8）覆蓋在所有溝槽和源區的上方，在任意相鄰的兩個溝槽之間開設有接觸孔，接觸孔自上而下穿過氧化層（8）和源區后進入基區中。

2.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的溝槽的底端低于漂移區上表面0.1~0.5um。

3.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的接觸孔底端低于基區上表面0.1~0.5um。

4.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的源區上方的氧化層（8）厚度為1um。

5.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的襯底為N+襯底（3），所述的漂移區為N漂移區（4），所述的基區為P基區（5），所述的源區為N+源區（6）。

6.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的襯底為P+襯底（10），所述的漂移區為P漂移區（11），所述的基區為N基區（12），所述的源區為P+源區（13）。

7.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的柵極（7）為多晶硅材料。

8.根據權利要求1所述的新型溝槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的襯底下方設置底部金屬層（2），所述的氧化層（8）上方設置頂部金屬層（9），自底部金屬層（2）處引出漏極（1），自頂部金屬層（9）處引出源極（14）。