[實用新型]一種碳化硅MOS管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721005486.3 | 申請日： | 2017-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN207116438U | 公開（公告）日： | 2018-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薛濤;關(guān)仕漢 | 申請（專利權(quán)）人： | 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 淄博佳和專利代理事務(wù)所37223 | 代理人： | 孫愛華 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市高新技術(shù)*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳化硅 mos | ||
1.一種碳化硅MOS管，包括碳化硅類型的襯底以及襯底上方的漂移區(qū)，在漂移區(qū)的上方依次形成基區(qū)、源區(qū)以及頂層氧化層（2），設(shè)置有穿過源區(qū)、基區(qū)并進(jìn)入漂移區(qū)的溝槽（3），在溝槽（3）內(nèi)填充多晶硅并形成MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的基區(qū)和源區(qū)連接相鄰的溝槽（3），在相鄰的溝槽（3）之間開設(shè)有接觸孔（4），接觸孔（4）自上而下穿過頂層氧化層（2）、源區(qū)并進(jìn)入基區(qū)，接觸孔（4）中填充有導(dǎo)體將相應(yīng)位置的源區(qū)及基區(qū)連接，在漂移區(qū)中設(shè)置有多個半導(dǎo)體類型與漂移區(qū)相反的保護(hù)區(qū)，保護(hù)區(qū)位于溝槽（3）下部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述頂層氧化層（2）的上方設(shè)置有頂層金屬層（1）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述襯底的下方設(shè)置有底層金屬層（11）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的襯底為N+型襯底（10），所述的漂移區(qū)為N型漂移區(qū)（9），所述的基區(qū)為P型基區(qū)（8），所述的源區(qū)為N+型源區(qū)（5）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述溝槽（3）中填充有多晶硅（6）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的溝槽（3）進(jìn)入漂移區(qū)的深度為0.1~0.5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的接觸孔（4）進(jìn)入基區(qū)的深度為0.1~0.5μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的保護(hù)區(qū)與溝槽（3）上下一一對應(yīng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
