[實用新型]一種紫外LED外延芯片倒裝結構

有效

• 申請號: 201720946821.3
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN206947377U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 何苗;楊思攀;王成民;周海亮;王潤
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L25/075;H01L23/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李婷婷,王寶筠

1.一種紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，包括：

相對設置的襯底和基板；

位于所述襯底和所述基板之間的外延層結構；

隔離層，所述隔離層垂直于所述襯底設置，貫穿所述外延層結構，并將所述外延層結構隔離成發光二極管結構與靜電保護二極管結構；

其中，所述發光二極管結構的第二電極和所述靜電保護二極管結構的第一電極電連接。

2.根據權利要求1所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述發光二極管結構和所述靜電保護二極管結構均包括：

第一電極、第一型電極接觸層、第二電極、第二型電極接觸層、所述外延層結構；

所述外延層結構包括：沿背離所述襯底的方向依次設置的緩沖層、超晶格結構、第二型導電層、有源區、第一型導電層、反射層和導電薄膜層；

所述第二型電極接觸層設置在垂直于所述襯底的凹槽內，所述凹槽貫穿所述導電薄膜層、所述反射層、所述第一型導電層和所述有源區，并與所述第二型導電層接觸；

所述第一電極與所述第一型電極接觸層相連；

所述第二電極位于所述導電薄膜層背離所述反射層的表面。

3.根據權利要求2所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述第一型電極接觸層為P型電極接觸層，所述第二型電極接觸層為N型電極接觸層。

4.根據權利要求3所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述外延層結構包括依次生長在所述襯底上的AlN緩沖層、AlN/AlGaN超晶格、重摻雜N型AlGaN層、輕摻雜N型AlGaN層、電流擴展層、多量子阱有源區、P型AlGaN電子阻擋層和P型GaN接觸層，其中，所述重摻雜N型AlGaN層與所述N型電極接觸層接觸。

5.根據權利要求4所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述P型AlGaN電子阻擋層和所述P型GaN接觸層之間還設置有P型能量調節層。

6.根據權利要求5所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述P型能量調節層為鋁組分為50％的AlGaN層。

7.根據權利要求2所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述凹槽的側壁上背離所述隔離層的一側設置有鈍化絕緣層。

8.根據權利要求1-7任意一項所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述基板包括：

底座，位于所述底座上依次層疊的導電銀漿、AlN層和金屬布線層；

其中，所述金屬布線層為圖形化結構，包括第一金屬布線層和第二金屬布線層；

所述第一金屬布線層與所述第一電極相連，所述第二金屬布線層與所述第二電極相連。

9.根據權利要求1所述的紫外LED外延芯片倒裝結構，其特征在于，所述襯底為微型納米圖形化藍寶石襯底。