[實用新型]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201720922591.7
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN207353216U
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 謝伊·阿薩夫;安德魯·康斯坦特;雅各布·紐曼;查爾斯·卡爾森;威廉·泰勒·韋弗;史蒂芬·希克森
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容涉及基板處理裝置。本文提供用于處理基板的方法和裝置。在一個實施方式中，裝置包括耦接至傳送腔室的裝載鎖定腔室。傳送腔室耦接至熱處理腔室，并且基板在裝載鎖定腔室、傳送腔室和熱處理腔室中的各個之間傳送。在其他實施方式中，公開具有裝載鎖定腔室、傳送腔室和熱處理腔室的處理平臺。本文也描述經由傳送腔室的抽空測量裝載鎖定腔室中的氧濃度的方法。

技術領域

本公開內容的實施方式一般地涉及基板處理和傳送裝置。更特定而言，本文描述的實施方式涉及環境可控的傳送模塊和處理系統。

背景技術

可靠地生產亞半微米和更小的特征為半導體器件的下一代大規模集成 (verylarge scale integration；VLSI)和超大規模集成(ultra large scale integration；ULSI)的一個關鍵技術挑戰。然而，隨著對電路技術的限度推進，VLSI和ULSI 技術的日益縮小的尺寸已經對處理能力提出了更多的要求。

在先進節點器件中，金屬和阻擋層材料經常用于接觸集成方案中。然而，在接觸集成方案中利用的各種材料(例如金屬和電介質)的氧化，可導致粘附問題和接觸結構材料的脫潤濕(de-wetting)。各種材料的氧化也可增大接觸電阻。因此，接觸結構的不良粘附和增大的接觸電阻可導致器件失效的不良器件性能。

因此，本領域中需要在器件制造的各階段期間用于防止器件結構的氧化的改進裝置和方法。

實用新型內容

一種基板處理裝置，包括：工廠界面；基板傳送模塊，所述基板傳送模塊用于在約常壓下生成實質惰性的環境，所述基板傳送模塊包括：裝載鎖定腔室，所述裝載鎖定腔室耦接至所述工廠界面，所述裝載鎖定腔室具有腔室主體和凈化氣體端口，所述腔室主體界定處理容積，所述凈化氣體端口與所述處理容積流體連通；傳送腔室，所述傳送腔室耦接至所述裝載鎖定腔室；以及處理模塊，所述處理模塊耦接至所述基板傳送模塊，其中所述處理模塊包括多個處理腔室，其中所述工廠界面進一步包括：多個前開式標準艙，所述多個前開式標準艙耦接至所述工廠界面，其中所述基板傳送模塊包括一對裝載鎖定腔室，其中所述基板傳送模塊包括一對傳送腔室，其中所述裝載鎖定腔室包括：排氣口，所述排氣口與所述處理容積流體連通，其中所述裝載鎖定腔室包括：基座，所述基座設置在所述處理容積中，其中所述基座具有形成在所述基座中的多個冷卻流體導管，其中所述裝載鎖定腔室具有形成于所述腔室主體中而與所述工廠界面鄰近的第一狹縫閥，和耦接至所述腔室而與所述第一狹縫閥鄰近的第一狹縫閥門，其中所述裝載鎖定腔室具有形成于所述腔室中而與所述傳送腔室鄰近的第二狹縫閥，和耦接至所述腔室而與所述第二狹縫閥鄰近的第二狹縫閥門。在所述基板處理裝置中，所述第二傳送腔室包括：腔室主體；排氣口，所述排氣口設置在所述腔室主體中；以及排氣導管，所述排氣導管耦接至所述腔室主體并自所述排氣口延伸，其中所述處理腔室中的各個為快速熱處理腔室，其中所述快速熱處理腔室中的各個為激光熱處理腔室，其中所述激光熱處理腔室中的各個在約常壓下工作。

一種基板處理裝置，包括：工廠界面，其中所述工廠界面包括：第一傳送腔室，所述第一傳送腔室具有設置在所述第一傳送腔室中的第一機械手；基板傳送模塊，所述基板傳送模塊用于在約常壓下生成實質惰性的環境，所述基板傳送模塊包括：裝載鎖定腔室，所述裝載鎖定腔室耦接至所述第一傳送腔室；第二傳送腔室，所述第二傳送腔室具有設置在所述第二傳送腔室中的第二機械手，所述第二傳送腔室耦接至所述裝載鎖定腔室；以及處理模塊，所述處理模塊耦接至所述基板傳送模塊，其中所述處理模塊包括處理腔室，其中所述處理腔室耦接至所述第二傳送腔室，其中所述處理腔室為激光熱處理腔室，其中所述處理腔室為沉積腔室，其中所述處理腔室為蝕刻腔室。在所述基板處理裝置中，所述裝載鎖定腔室包括：腔室主體，所述腔室主體界定處理容積；凈化氣體端口，所述凈化氣體端口與所述處理容積流體連通；以及排氣口，所述排氣口與所述處理容積流體連通，其中所述裝載鎖定腔室包括：基座，所述基座設置在所述處理容積中，其中所述基座具有形成在所述基座中的多個冷卻流體導管。