[實用新型]一種G.fast薄線圈結構

有效

• 申請號: 201720912035.1
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN207425509U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 林棋清;王勇;許玲英
• 申請（專利權）人: 綿陽普思電子有限公司
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F27/24;H01F27/30;H01F27/28
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 徐勛夫

1.一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：包括第一級兩個差模電感（100），兩個差模電感疊合在一起，各電感均包括線圈（10）和磁芯（20），所述磁芯上設有線圈容置腔（21）和中柱（22），所述線圈位于線圈容置腔中，中柱穿過線圈的中心，該線圈的寬度W1小于磁芯可繞線寬度W2，使兩個差模電感疊合后彼此之間的線圈分離。

2.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：所述線圈（10）的寬度W1小于磁芯（20）可繞線寬度W2的三分之二。

3.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：所述線圈（10）的外徑接近線圈容置腔（21）的內徑。

4.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：所述線圈的內側面（11）貼于線圈容置腔的內側面（23）。

5.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：兩個差模電感為面對面疊合，疊合后一個電感的中柱正對另一個電感的中柱。

6.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：兩個差模電感為面對背疊合，疊合后一個電感的線圈容置腔對應于另一電感的磁芯平面，另一電感的線圈容置腔外加蓋平片磁芯(30)。

7.根據權利要求1所述的一種G.fast薄線圈結構，其特征在于：所述磁芯(20)具有上端開口(24)和下端開口(25)，形成E型結構，線圈的兩端分別伸出上端開口和下端開口外。