[實用新型]一種三相二極管整流橋模塊有效
| 申請號: | 201720889213.3 | 申請日: | 2017-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN207097815U | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 方愛俊 | 申請(專利權)人: | 常州港華半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07 |
| 代理公司: | 常州市權航專利代理有限公司32280 | 代理人: | 喬楠 |
| 地址: | 213200 江蘇省常州市金壇市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三相 二極管 整流 模塊 | ||
1.一種三相二極管整流橋模塊,包括:殼體(1)、電極組件、半導體芯片(3)、陶瓷基板(4)和底板(5),底板(5)上方固定連接有陶瓷基板(4),所述半導體芯片(3)位于陶瓷基板(4)上方,所述陶瓷基板(4)上下均連接有電極組件,所述殼體(1)與底板(5)固定連接,電極組件穿過殼體(1)延伸至殼體(1)外部,其特征在于:所述殼體(1)上開設有用于灌裝環氧樹脂的工藝孔(6)。
2.如權利要求1所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述半導體芯片(3)數量為6個,對稱均勻分布于陶瓷基板(4)上方。
3.如權利要求2所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述電極組件包括:第一電極(21)、第二電極(22)和第三電極(23),所述第一電極(21)包括一體設置的電極凹槽(211)、電極尾端(212)以及三個第一端子(213),所述電極凹槽(211)與一列半導體芯片(3)的底部接觸,所述電極尾端(212)與另一列半導體芯片(3)的上方接觸,所述第二電極(22)的尾端連接于上方未連接電極組件的一列半導體芯片(3)上方,所述第二電極(22)具有延伸至殼體(1)外的第二端子(221),所述第三電極(23)的尾端連接于底面未連接電極組件的一列半導體芯片(3)下方,所述第三電極(23)具有延伸至殼體(1)外的第三端子(231)。
4.如權利要求3所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述殼體(1)上設有分別與第一端子(213)、第二端子(221)和第三端子(231)配合的方形孔(7)。
5.如權利要求1所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述殼體(1)上設有分別與第一端子(213)、第二端子(221)和第三端子(231)位置對應的六邊形凹槽(8)。
6.如權利要求1所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述殼體(1)與底板(5)通過固定銷(9)連接。
7.如權利要求6所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述固定銷(9)由一體設置的第一套筒(91)、第二套筒(92)和第三套筒(93)組成,所述第一套筒(91)外壁與底板(5)配合,所述第二套筒(92)外壁與殼體(1)配合。
8.如權利要求1所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述底板(5)為銅板。
9.如權利要求1所述的一種三相二極管整流橋模塊,其特征在于:所述殼體(1)高為15-19mm。
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