[實用新型]低增益低旁瓣微基站天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720879158.X | 申請日: | 2017-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN207559068U | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李道鐵;吳中林;劉木林 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東通宇通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/50 | 分類號: | H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q21/00;H01Q21/08 |
| 代理公司: | 深圳瑞天謹(jǐn)誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44340 | 代理人: | 張佳 |
| 地址: | 528437 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低旁瓣 低增益 寬帶振子 微基站 下垂 天線 威爾金森功分器 本實用新型 交叉振子 介質(zhì)基板 饋電網(wǎng)絡(luò) 頻段 饋電 地板 蜂窩移動通信 印制 定向天線 交叉放置 優(yōu)化設(shè)計 低成本 低剖面 定向性 分支路 寬波束 寬頻帶 輸入端 微帶線 小基站 級聯(lián) 兩級 兩路 陣元 子陣 組陣 參考 部署 | ||
1.一種低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,其包括地板上設(shè)置的N個排列組陣的交叉振子對,每個交叉振子對包括兩個交叉放置的下垂寬帶振子,兩個下垂寬帶振子分別印制在介質(zhì)基板上,在介質(zhì)基板與該下垂寬帶振子相對的另一面設(shè)有微帶線,在地板上設(shè)有兩路印制饋電網(wǎng)絡(luò),分別對陣列兩子陣進行饋電,在饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)有威爾金森功分器,該威爾金森功分器通過各級功分支路對各陣元饋電,其中N為大于等2的自然數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該威爾金森功分器包括至少兩級級聯(lián)的不等分威爾金森功分器和單級威爾金森等功分器。
3.如權(quán)利要求2所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該威爾金森功分器包括不等分的前級功分器、不等分的中級功分器、等分的末級等功分器,該前級功分器的其中一支路連接該中級功分器,該中級功分器分出第一中級功分支路連接陣列的中間陣元,第二中級功分支路連接末級等功分器,該末級等功分器等分為第一末級功分支路、第二末級功分支路后分別對陣列兩側(cè)邊緣的陣元饋電。
4.如權(quán)利要求3所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該末級等功分器等分為第一末級功分支路、第二末級功分支路后,然后分別延伸出第一末級延伸支路、第二末級延伸支路,然后對陣列兩側(cè)邊緣的陣元饋電。
5.如權(quán)利要求4所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該中級功分器的第一中級功分支路與末級等功分器的第二末級延伸支路垂直相交,第一中級功分支路通過金屬過孔,經(jīng)由微帶線地平面的功分支路延伸段跨過末級等功分器的第二末級延伸支路,之后經(jīng)功分支路彎折段連接中間陣元。
6.如權(quán)利要求5所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該前級功分器包括第一前級功分支路和第二前級功分支路,該第一前級功分支路端接衰減電阻,該第二前級功分支路則連接所述中級功分器。
7.如權(quán)利要求6所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,各級功分器兩輸出支路之間接隔離電阻。
8.如權(quán)利要求1~6任一項所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該下垂寬帶振子包括對稱設(shè)置的兩個倒L形振子臂,該下垂寬帶振子的振子臂下部為振子豎直段,振子豎直段頂部連接振子水平段,振子水平段末端朝下延伸出振子彎折段,振子豎直段與振子水平段拐角處外側(cè)切振子斜角。
9.如權(quán)利要求8所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,該微帶線起始位置高于振子臂的振子豎直段低端,順著其中心線方向設(shè)置,微帶線起始段豎直朝上延伸出微帶線豎直段,延伸至振子豎直段上部的振子斜角處后,朝振子水平段反方向延伸出微帶線水平段,且在靠近振子斜角的第一直彎處有一朝下的開路短枝節(jié),微帶線水平段延伸至振子另一臂的振子斜角處,再朝下直彎折延伸出微帶線下垂段,并順著振子豎直段中心延伸至其中部后斷開。
10.如權(quán)利要求9所述的低增益低旁瓣微基站天線,其特征在于,兩個下垂寬帶振子中心線重合并呈90o交叉放置,構(gòu)成一個±45o或H/V交叉振子對,交叉處的兩微帶線水平段上下錯開,并在其中之一介質(zhì)基板的下方開設(shè)有第一互補槽,另一介質(zhì)基板上方開設(shè)與第一互補槽配合的第二互補槽,第一互補槽與第二互補槽總深度等于介質(zhì)基板的總高度。
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