[實用新型]一種HIBC電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720879107.7 | 申請日: | 2017-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN207116442U | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張敏;盧剛;張治;何鳳琴;鄭璐;錢俊;楊振英;楊勇洲;杜娟 | 申請(專利權(quán))人: | 青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)分公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/20 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 810007 青海省西*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 hibc 電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種HIBC電池。
背景技術(shù)
目前的光伏技術(shù)領(lǐng)域中重要的目標是制作出實現(xiàn)更高效率的光伏電池,尤其以異質(zhì)結(jié)電池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer Cell,HIT電池)和背接觸電池(Interdigitated back contact,IBC電池)為代表的高效電池成為企業(yè)和研究機構(gòu)關(guān)注的焦點。盡管有著生產(chǎn)設(shè)備昂貴、實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)困難以及工藝手段相對復雜等需要解決的問題,但由于具備優(yōu)良電學性能,這兩種高效電池仍成為了行業(yè)熱捧對象。而近年來出現(xiàn)的兼具有HIT電池和IBC電池優(yōu)良特性的HIBC(Heterojunction Interdigitated Back Contact)電池已被一些研究機構(gòu)和企業(yè)重視并研究。
現(xiàn)有技術(shù)中常用的HIBC電池的結(jié)構(gòu)包括硅襯底、本征非晶硅層、摻雜非晶硅層以及電極,該本征非晶硅層和摻雜非晶硅層依次設(shè)置在硅襯底上,該電極連接到摻雜非晶硅層。而該HIBC電池的結(jié)構(gòu)具有以下缺點:摻雜非晶硅層會使本征非晶硅層中的Si-H鍵裂變能力降低,使本征非晶硅層中的缺陷增加,鈍化能力下降;本征非晶硅層的引入使得該HIBC電池的串聯(lián)電阻增加,填充因子下降;采用等離子體增強化學氣相沉積工藝(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)沉積本征非晶硅層時會產(chǎn)生外延硅,從而損害本征非晶硅層與硅襯底的界面性能,使得鈍化能力下降,由此使得該HIBC電池的光電轉(zhuǎn)換效率下降。
實用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實用新型的目的在于提供一種HIBC電池,通過在所述HIBC電池的硅襯底以及設(shè)置在所述硅襯底的背表面一側(cè)的第一本征非晶硅層之間設(shè)置一層氫化非晶氧化硅層,來解決上述問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采取了以下的技術(shù)方案:
一種HIBC電池,包括硅襯底、電極和依次設(shè)置在所述硅襯底的背表面上的第一本征非晶硅層以及摻雜非晶硅層,所述電極與所述摻雜非晶硅層連接,所述硅襯底與所述第一本征非晶硅層之間設(shè)置有氫化非晶氧化硅層。
優(yōu)選地,所述HIBC電池還包括第二本征非晶硅層、N型非晶硅層以及減反射膜層,所述第二本征非晶硅層、N型非晶硅層以及減反射膜層依次設(shè)置在所述硅襯底的正表面上。
優(yōu)選地,所述減反射膜層為氮化硅薄膜。
優(yōu)選地,所述HIBC電池還包括設(shè)置在所述摻雜非晶硅層上的透明導電膜層,所述電極通過所述透明導電膜層與所述摻雜非晶硅層連接。
優(yōu)選地,所述摻雜非晶硅層包括N型非晶硅區(qū)和P型非晶硅區(qū),所述電極通過所述透明導電膜層分別收集所述N型非晶硅區(qū)以及P型非晶硅區(qū)的電流。
優(yōu)選地,所述N型非晶硅區(qū)和所述P型非晶硅區(qū)在所述第一本征非晶硅層上排列為叉指式PN結(jié)。
優(yōu)選地,所述氫化非晶氧化硅層的厚度為1~10nm。
優(yōu)選地,所述硅襯底為N型單晶硅襯底。
本實用新型實施例提供的一種HIBC電池,通過在所述HIBC電池的硅襯底與第一本征非晶硅層之間設(shè)置一層氫化非晶氧化硅層,提高了所述HIBC電池的界面鈍化效果,遏制了由于引入本征非晶硅層造成的所述HIBC電池的串聯(lián)電阻增大以及填充因子降低,提高了所述HIBC電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例提供的HIBC電池的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2a-圖2e是本實用新型實施例提供的HIBC電池在其制備方法中,各個步驟獲得的結(jié)構(gòu)的示例性圖示。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。這些優(yōu)選實施方式的示例在附圖中進行了例示。附圖中所示和根據(jù)附圖描述的本實用新型的實施方式僅僅是示例性的,并且本實用新型并不限于這些實施方式。
在此,還需要說明的是,為了避免因不必要的細節(jié)而模糊了本實用新型,在附圖中僅僅示出了與根據(jù)本實用新型的方案密切相關(guān)的結(jié)構(gòu)和/或處理步驟,而省略了與本實用新型關(guān)系不大的其他細節(jié)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





