[實用新型]一種增強空穴注入的異質結構LED器件

有效

• 申請號: 201720872711.7
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN207021279U
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 劉寧煬;陳志濤;王巧;王君君;林丹;趙維;龔政
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/30;H01L33/32
• 代理公司: 廣東世紀專利事務所44216
• 代理人: 劉卉

1.一種增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：包括襯底（1）及襯底（1）上的外延結構，所述外延結構包括沿外延生長方向依次設置的緩沖層（2）、非故意摻雜層（3）、n型電子漂移層（4）、多量子阱發光有源區（5）、p型電子阻擋層（6）、p型空穴漂移層（7）和p型接觸層（8），所述n型電子漂移層（4）上設置有n型歐姆接觸電極（9），所述p型接觸層（8）上設置有p型歐姆接觸電極（10），所述p型電子阻擋層（6）由沿外延生長方向依次設置的p-Al_xGa_1-xN層（61）、p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N復合層（62）及p-Al_zGa_1-zN層（63）構成，其中所述p-Al_xGa_1-xN層（61）用于阻擋電子，所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N復合層（62）用于調整價帶和電場強度，使價帶更接近空穴的準費米能級而提高空穴濃度，并使空穴在更大的電場下加速獲得更高速率，所述p-Al_zGa_1-zN層（63）用于輔助增強阻擋電子。

2.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-Al_xGa_1-xN層（61）的Al組分x為0.07≤x≤1。

3.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-Al_xGa_1-xN層（61）的厚度為1～5nm。

4.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N復合層（62）的In組分y1、y2、y3分別為0.04≤y1≤0.2，0.04≤y2≤0.2，0.04≤y3≤0.2，且y2≤y1≤y3。

5.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N復合層（62）中每一層的厚度均為1～5nm。

6.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-Al_zGa_1-zN層（63）的Al組分z為0.07≤z≤1。

7.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述p-Al_zGa_1-zN層（63）的厚度為1～5nm。

8.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述襯底（1）為生長襯底，所述緩沖層（2）、非故意摻雜層（3）、n型電子漂移層（4）、多量子阱發光有源區（5）、p型電子阻擋層（6）、p型空穴漂移層（7）和p型接觸層（8）由生長襯底從下往上依次外延生長而成。

9.根據權利要求1所述的增強空穴注入的異質結構LED器件，其特征在于：所述襯底（1）為導熱基底，所述導熱基底通過鍵合層（11）鍵合在n型歐姆接觸電極（9）和p型歐姆接觸電極（10）上而實現與外延結構的連接。