[實用新型]用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構有效
| 申請號： | 201720819461.0 | 申請日： | 2017-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN207009439U | 公開（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發明（設計）人： | 張峰;溫正欣;高怡瑞;李昀佶;申占偉;陳彤 | 申請（專利權）人： | 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京卓孚知識產權代理事務所(普通合伙)11523 | 代理人： | 李亞,劉光明 |
| 地址： | 100192 北京市海淀區清河*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 碳化硅 半導體 功率 器件 復合 終端 結構 | ||
1.一種用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其特征在于，包括：
第一結終端擴展；
第二結終端擴展；
場限環；
所述第一結終端擴展和所述第二結終端擴展的重合部分形成的第一重合區域；以及
所述場限環和所述第二結終端擴展的重合部分形成的第二重合區域。
2.根據權利要求1所述的用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其中，
所述第一結終端擴展的寬度比所述第二結終端擴展的寬度短，所述第一結終端擴展的深度比所述第二結終端擴展的深度深。
3.根據權利要求1所述的用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其中，
所述場限環與所述第一結終端擴展同時形成，所述場限環與所述第一結終端擴展具有相同的摻雜濃度和深度。
4.根據權利要求1所述的用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其中，
所述第一重合區域的寬度與所述第一結終端擴展的寬度相同，所述第一重合區域的摻雜濃度等于所述第一結終端擴展與所述第二結終端擴展的摻雜濃度之和；所述第二重合區域的寬度與所述場限環的寬度相同，所述第二重合區域的摻雜濃度等于所述第二結終端擴展與所述場限環的摻雜濃度之和。
5.根據權利要求1所述的用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其中，
所述復合終端結構和主結在外延片上形成，所述復合終端結構與所述主結直接相連，與所述主結具有相同的摻雜類型。
6.根據權利要求5所述的用于碳化硅半導體功率器件的復合終端結構，其中，
所述第一結終端擴展與所述場限環的深度大于所述主結的深度，所述第二結終端擴展的深度小于所述主結的深度。
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