[發明專利]一種晶體硅晶向的測定方法和應用

在審

• 申請號: 202010775404.3
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112098406A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 李建敏;劉華;簡學勇;付紅平;雷琦;何亮;程小娟;鄒貴付;甘勝泉
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司;賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
• 主分類號: G01N21/84
• 分類號: G01N21/84
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種晶體硅晶向的測定方法，其特征在于，包括以下步驟：

取待測晶體硅片，將所待測晶體硅片至少包括一對相對設置的第一表面和第二表面；

對所述第一表面進行腐蝕處理，清洗、干燥后，轉移至平臺上，使所述第二表面貼于所述平臺上，設置光源以將所述干燥后的第一表面暴露在同一光照強度下，拍攝所述第一表面的圖像，經圖像處理得到所述圖像的灰度值數據；

將所述圖像的灰度值數據與標準晶向對照表的標準灰度值數據進行比對，以測定所述待測晶體硅片的第一表面的晶向；所述標準晶向對照表包含多種不同標準晶向的圖像的灰度值數據。

2.如權利要求1所述的測定方法，其特征在于，所述標準晶向對照表的制作過程包括：

提供多種不同標準晶向的標準晶體硅片，按照與所述待測晶體硅片相同的測定條件，拍攝所述多種不同標準晶向的標準晶體硅片表面的圖像，經圖像處理得到所述不同標準晶向的標準晶體硅片圖像的灰度值數據，記錄、整理后，得到所述標準晶向對照表。

3.如權利要求1所述的測定方法，其特征在于，所述腐蝕處理的過程包括：使用堿液對所述待測晶體硅片的第一表面進行各向異性腐蝕，以在所述第一表面暴露多個晶格；所述腐蝕處理的腐蝕深度為5－15μm。

4.如權利要求3所述的測定方法，其特征在于，逐個將所述多個晶格的所述圖像的灰度值數據，與所述標準晶向對照表的灰度值數據進行比對，以得到所述多個晶格的晶向。

5.如權利要求1－4任一種所述的測定方法，其特征在于，所述標準晶向包括100、110或111中的至少一種。

6.如權利要求1所述的測定方法，其特征在于，使用拍攝設備拍攝所述第一表面的圖像，所述圖像的像素尺寸至少為600×600。

7.如權利要求6所述的測定方法，其特征在于，所述拍攝設備的拍攝鏡頭中軸線與所述第一表面所在平面的夾角為80－90°。

8.如權利要求1所述的測定方法，其特征在于，所述光源包括至少兩個面光源，所述至少兩個面光源對稱分布，且懸浮在所述平臺的正上方，垂直于所述面光源所在平面的光線與所述第一表面的夾角為40－50°。

9.如權利要求1－8任一項所述的測定方法，其特征在于，所述待測晶體硅片包括單晶硅片、鑄錠單晶硅片或多晶硅片。

10.一種如權利要求1－9任一項所述晶體硅晶向的測定方法在光伏領域硅片制絨中的應用。