[實用新型]太陽能電池減反射膜

有效

• 申請號: 201720786918.2
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN206864483U
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 李躍恒;孟慶平;楊愛靜;宋志成;王濤;申海超;王永岡;李緒存
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/32
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙)31251
• 代理人: 郭桂峰

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池生產工藝技術領域，尤其涉及一種太陽能電池減反射膜。

背景技術

太陽能電池大規模生產中，常采用在硅片表面沉積減反射膜的方式增加光的利用率，提升電池轉換效率。常見的薄膜主要有氮化硅SiNx，其膜層一般是1-5層。氮化硅SiNx薄膜多采用等離子體增強化學的氣相沉積(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉積的方式進行制備，具有減反射性能和體鈍化效果好的特點，但不同膜層的氮化硅膜之間以及與硅基體結合界面態高則限制了電池轉化效率的提升。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種對硅片損傷小，制造工藝簡單的太陽能電池減反射膜。

為解決上述問題，本實用新型提供一種太陽能電池減反射膜，包括：擴散后的晶體硅片，所述擴散后的晶體硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉積的折射率漸變的SiNx減反射膜。

可選的，所述SiNx減反射膜折射率的漸變為線性漸變。

可選的，所述SiNx減反射膜折射率的變化范圍為[1.8，2.5]。

可選的，所述折射率漸變的SiNx減反射膜層的折射率依次遞減。

可選的，折射率漸變的SiNx減反射膜的厚度在65nm-100nm之間。

與現有技術相比，本實用新型的技術方案具有如下有益效果：

本實用新型的太陽能電池減反射膜，包括：擴散后的晶體硅片，擴散后的晶體硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉積的折射率漸變的SiNx減反射膜。采用PECVD設備一次在晶體硅片的受光面上從下向上依次沉積折射率漸變的SiNx減反射膜，形成具有該膜層結構的太陽能電池減反射膜，由于該減反射膜包括了不同折射率的SiNx膜，因此減反射膜的膜層并不局限于有限膜層數量的SiNx膜，另外，折射率漸變的SiNx減反射膜層的折射率依次遞減，也即SiNx膜的折射率隨著時間的增加折射率逐漸下降，越靠近底層沉積SiNx膜的折射率越高，越靠近頂層沉積SiNx膜的折射率越低，降低了反射率的同時也提高了底層的鈍化效果，進而有利于提高電池的轉換效率和開路電壓，也有利于改善鍍膜過程中膜層沉積的均勻性。此外，通過一次PECVD形成折射率漸變的SiNx減反射膜工藝簡單，且對晶體硅片的損傷小。

附圖說明

圖1是減反射膜的示意圖；

圖2是本發明實施例的折射率漸變的SiNx減反射膜的示意圖。

具體實施方式

本實用新型實施方式提供一種太陽能電池減反射膜，包括：擴散后的晶體硅片，所述擴散后的晶體硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉積的折射率漸變的SiNx減反射膜。

以下結合附圖和太陽能電池減反射膜的形成工藝對本實用新型的太陽能電池減反射膜的結構進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

實施例1

本實施例中，形成上述的太陽能電池減反射膜的制備方法包括以下步驟：

(1)選取156mm×156mm晶體硅片，對其經過制絨、擴散、刻蝕工藝后，裝入管式PECVD中。

(2)通入SiH₄和NH₃混合氣體，SiH₄和NH₃的初始體積比為1:3，SiH₄的初始流量為1500sccm，NH₃的初始流量為4500sccm，沉積溫度為480℃。

(3)通入的NH₃的流量在鍍膜過程中保持不變，通入的硅烷的氣體流量每秒鐘遞減1.5sccm，沉積時間為700秒。

圖2是本發明實施例的折射率漸變的SiNx減反射膜的示意圖，通過本實施例的技術方案，獲得了如圖2所示的折射率漸變的膜層3，膜層3包括了無數的漸變膜層n1、n2、n3、n4、n5、n6等。圖1是現有減反射膜的示意圖，圖1中采用現有鍍膜方案生成了包括膜層1和膜層2的有限膜層數量的減反射膜。采用本實施例方法生成的圖2所示的減反射膜，降低了膜層之間折射率的差異，進而也降低了不同膜層的界面態。

通過上述的(1)至(3)可制備折射率在[1.8，2.5]之間的折射率漸變的SiNx減反射膜，且通過線性或非線性的改變硅烷的氣體流量，可以使得沉積獲得的SiNx減反射膜的折射率呈線性漸變或非線性漸變。