[實(shí)用新型]氮化鎵半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720740734.2
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN207116436U
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉美華;林信南;劉巖軍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶相技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778
• 代理公司: 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：氮化鎵外延層；以及，

設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層材質(zhì)為氧化鉿；

設(shè)置于所述介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極，所述源極、漏極分別貫穿所述介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接；其中，所述柵極貫穿所述介質(zhì)層、并伸入所述氮化鎵外延層中；

設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述介質(zhì)層上的絕緣層，所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅；

還包括設(shè)置于所述絕緣層上的場板金屬層，所述場板金屬層貫穿所述絕緣層與所述源極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化鎵外延層包括硅襯底，以及設(shè)置于所述硅襯底表面的氮化鎵層、設(shè)置于所述氮化鎵層表面的氮化鋁鎵層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極貫穿所述氮化鋁鎵層與所述氮化鎵層連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為2000埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極和/或漏極由第一金屬組成；所述第一金屬從下至上依次包括：第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極由第二金屬組成，所述第二金屬為Ni、Au合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一鈦金屬層的厚度為200埃，所述鋁金屬層的厚度為1200埃，所述第二鈦金屬層的厚度為200埃，所述氮化鈦層的厚度為200埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二金屬厚度為0.01～0.04μm/0.08～0.4μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣層的厚度為5000埃；和/或，所述場板金屬層的厚度為10000埃。

10.一種氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：氮化鎵外延層；以及，

設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層材質(zhì)為氧化鉿；

設(shè)置于所述介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極，所述源極、漏極分別貫穿所述介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接；其中，所述柵極貫穿整個(gè)所述介質(zhì)層、以及所述氮化鎵外延層中的氮化鋁鎵層；

設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述介質(zhì)層上的絕緣層，所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅；

還包括設(shè)置于所述絕緣層上的場板金屬層，所述場板金屬層貫穿所述絕緣層與所述源極連接。