[實用新型]一種密封蓋結構及濕法刻蝕設備

有效

• 申請號: 201720698267.1
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN207165525U
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 吳智翔;張弢;劉鵬
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本實用新型涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種適用于蓋合濕法刻蝕設備的處理槽的密封蓋結構及濕法刻蝕設備。

背景技術

在半導體制造工藝中，為了將晶圓上的掩膜上的圖形轉移到下埋層上，需要對晶圓進行刻蝕工藝。下埋層的某些部分經過與刻蝕機發生化學反應被去除，而其余部分由于掩膜層的保護沒有接觸刻蝕劑從而得以保留。目前，最主要的刻蝕方法有兩種：濕法刻蝕和干法等離子刻蝕。在濕法刻蝕中，刻蝕劑是液態化學混合物，其與晶圓襯底發生化學反應，產生可溶性物質，從而溶解于溶液中。處理槽作為濕法刻蝕工藝的主要設備，通常晶圓放置于處理槽中，利用處理槽的刻蝕液中浸沒一段特定的時間，便可刻蝕晶圓上不需要的材料層。

處理槽上設置有密封蓋，在處理槽處于密閉狀態時，開始對晶圓進行處理。通常處理槽具有向上的開口，密封蓋蓋合在開口上，處理槽的一側設置有氣缸，氣缸的活塞桿連接密封蓋，通過活塞桿的伸縮帶動密封蓋打開或再次蓋合處理槽的開口。但是上述密封蓋結構中，使用單根活塞桿承載密封蓋，密封蓋單側受力，長時間使用后會使密封蓋未連接活塞桿的一側向下傾斜，導致密封蓋開閉出現異常，從而引發機臺報警，進一步導致處理槽內的晶圓因處理超時過刻蝕而報廢；另外，使用單根活塞桿承載密封蓋也會導致活塞桿變形或過度磨損，造成密封蓋的使用壽命減短。

發明內容

根據現有技術中存在的上述問題，現提供一種密封蓋結構及濕法刻蝕設備，適用于蓋合濕法刻蝕設備的處理槽，所述處理槽具有向上的開口，所述密封蓋結構包括：

伸縮單元，設置于所述開口兩側，所述伸縮單元設置有一處于伸出狀態的第一位置及一處于縮回狀態的第二位置；

密封蓋本體，連接于所述伸縮單元上，并于所述伸縮單元處于第二位置時封蓋所述開口，以及于所述伸縮單元處于所述第一位置時使所述開口打開；

驅動裝置，連接所述伸縮單元用以驅動所述伸縮單元伸出以及縮回。

較佳的，上述密封蓋結構中，所述驅動裝置為氣缸及油缸中的一種。

較佳的，上述密封蓋結構中，所述伸縮單元為活塞桿。

較佳的，上述密封蓋結構中，所述驅動裝置設置有一對，一對所述驅動裝置設置于所述開口兩側。

較佳的，上述密封蓋結構中，還包括軌道，所述軌道設置于所述開口的至少一側，所述密封蓋本體的至少一側邊緣可滑動的嵌設于所述軌道內。

還包括一種濕法刻蝕設備，其中，包括上述任一所述的密封蓋結構。

上述技術方案的有益效果是：通過在處理槽的兩側各設置伸縮裝置，伸縮裝置分別連接密封蓋本體的兩側，使得密封蓋開閉動作均勻受力，延長密封蓋的使用壽命，減少由于密封蓋開閉異常而導致報廢的晶圓，提高生產效率，降低維修成本。

附圖說明

圖1是本實用新型的較佳的實施例中，一種密封蓋結構的結構示意圖；

圖2是本實用新型的較佳的實施例中，處理槽關閉時的結構示意圖；

圖3是本實用新型的較佳的實施例中，處理槽打開時的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明，但不作為本實用新型的限定。

本實用新型的較佳的實施例中，如圖1-3所示，一種密封蓋結構，適用于蓋合濕法刻蝕設備的處理槽1，處理槽1具有向上的開口，密封蓋結構包括：

伸縮單元2，設置于開口兩側，伸縮單元設置有一處于伸出狀態的第一位置及一處于縮回狀態的第二位置；

密封蓋本體3，連接于伸縮單元2上，并于伸縮單元2處于第二位置時封蓋開口，以及于伸縮單元處于第一位置時使開口打開；

驅動裝置4，連接伸縮單元2用以驅動伸縮單元2伸出以及縮回。

上述技術方案中，通過驅動裝置4，來驅動設置于處理槽1的開口兩側的伸縮單元2，進而由伸縮單元2移動密封蓋本體3于第一位置以及第二位置之間移動，從而實現密封蓋本體3處于第一位置時處理槽1打開，密封蓋本體3處于地二位置時處理槽1的開口被封蓋。

由于伸縮單元2安裝在開口的兩側，因此由伸縮單元2移動密封蓋本體 3時使密封蓋本體3受力均勻，不易出現單邊磨損的情況。

本實用新型的較佳的實施例中，驅動裝置4為氣缸及油缸中的一種。

本實用新型的較佳的實施例中，伸縮單元2為活塞桿。

本實用新型的較佳的實施例中，驅動裝置4設置有一對，一對驅動裝置設置于開口兩側。