[實用新型]一種電容去離子脫鹽裝置的再生機構

有效

• 申請號: 201720685304.5
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN207091070U
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 郭洪飛
• 申請（專利權）人: 郭洪飛
• 主分類號: C02F1/469
• 分類號: C02F1/469
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種污水處理領域，尤其是涉及一種電容去離子脫鹽裝置的再生機構。

背景技術

由電容去離子技術的原理可知，當電極吸附飽和之后，需要對電極對進行再生之后才能進入下一周期的工作，使吸附在電極內部和表面的各種離子重新脫附出來，然后隨水流排出，設備由此得到再生。

目前常用的幾種再生方法及流程如下：

一級再生工藝，即在電容去離子脫鹽裝置吸附飽和并短接放電完畢之后，僅采用原水對脫鹽設備進行反洗的再生方法，反洗出水直接外排，特點是反洗水量小，再生效果一般，產水率一般；(原水即需要處理的水源，再生過程中所使用的用來沖洗脫鹽設備的水都稱之為反洗水，因此反洗用水可包括原水、中水以及濃水，反洗時的出水都稱之為反洗出水或再生出水)。

二級再生工藝，即在電容去離子脫鹽裝置吸附飽和并短接放電完畢之后，采用中水反洗+原水反洗，中水反洗時出水較濃直接外排，原水反洗時出水濃度有所降低，此出水排到中水箱，作為下一周期中水反洗時反洗水使用，特點是反洗水量一般，反洗效果較好，產水率較高。

三級再生工藝，在電容去離子脫鹽裝置吸附飽和并短接放電完畢之后，采用濃水反洗+中水反洗+原水反洗，濃水反洗時出水直接外排、然后是中水反洗的出水排到濃水箱，作為下一周期的濃水反洗時的水來使用、原水反洗時出水排到中水箱，特點是反洗水量大，反洗效果好，產水率高，工藝較復雜。

四級再生工藝，采用濃水反洗+中水反洗+原水反洗+原水預排，前三個工藝流程與之前的相同，原水預排就是原水反洗然后再返回到原水箱，反洗水量更大，反洗效果最好，產水率也是最高，但是工藝更加較復雜。

一般為了保證再生效果，通常需要3級以上反洗，每個再生工藝節點均需泵、閥門、水池等，工藝復雜、投資大、控制點多，不易操作，且產水率一般只能達到75％左右。

放空再生工藝，就是在短接放電結束之后，電極內部和表面所存儲的絕大部分離子都會重新釋放到通道內，然后把電容去離子脫鹽裝置內存儲的含有大量陰陽離子的濃水，通過預留的直排口直接放空，再將裝置用產水補滿即可。該法工藝簡單，再生徹底，而且可以實現較高的產水率。

但是以上各種方法和裝置雖然能夠滿足電容去離子脫鹽裝置的再生需求，但仍然不能做到完全的再生，即每次再生結束之后都會有少量的離子殘留在電極微孔內部，經過長期運行之后，在電極內部存儲的離子會越來越多，這不僅降低了裝置的再生效果，而且使得通電工作時所能吸附的離子的量不斷下降，即降低了脫鹽率，在一定程度上也縮減了電容去離子技術的電極使用壽命。

實用新型內容

本實用新型設計了一種電容去離子脫鹽裝置的再生機構，其解決的技術問題是現有電容去離子脫鹽裝置的再生時，在電極內部存儲的離子會越來越多，這不僅降低了裝置的再生效果，而且使得通電工作時所能吸附的離子的量不斷下降，即降低了脫鹽率，在一定程度上也縮減了電容去離子技術的電極使用壽命。

為了解決上述存在的技術問題，本實用新型采用了以下方案：

一種電容去離子脫鹽裝置的再生機構，其特征在于：所述再生機構對電容去離子脫鹽裝置(1)的兩個端面電極施加一個反向電壓，促使被堵塞在電極微孔內的陰陽離子通過電場力的作用重新釋放出來。

進一步，所述再生機構包括電源(21)，所述電源(21)正極通過兩根導線分別與第一接線端子(22)和第二接線端子(23)連接，所述電源(21)正極與第一接線端子(22)之間的導線上設有第一接觸器(24)，所述電源(21)正極與第二接線端子(23)之間的導線上設有第二接觸器(25)；所述電源(21)負極也通過兩根導線分別與第一接線端子(22)和第二接線端子(23)連接，所述電源(21)負極與第一接線端子(22)之間的導線上設有第四接觸器(27)，所述電源(21)正極與第二接線端子(23)之間的導線上設有第三接觸器(26)。

進一步，所述電容去離子脫鹽裝置(1)中的兩個端面電極之間平行設有多個雙面電極。

進一步，所述任意兩個相鄰電極之間還設有離子阻擋層。

一種電容去離子脫鹽裝置的再生方法，包括以下步驟：

步驟1、電容去離子裝置在通電吸附污水中的陰陽離子完成；

步驟2、電容去離子裝置進行短接放電；

步驟3、在電容去離子裝置的端面電極兩端施加一個反向電壓，促使被堵塞在電極微孔內的陰陽離子通過電場力的作用重新釋放出來；