[實(shí)用新型]一種透明襯底晶圓的光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720649771.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN206992104U
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏先波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種透明襯底晶圓的光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

GaNHEMT器件作為第三代化合物半導(dǎo)體的代表器件，以其高電子遷移率、高擊穿電壓、高電流密度、高可靠性，廣泛應(yīng)用于微波功率放大領(lǐng)域，是現(xiàn)代軍民通信系統(tǒng)、航空航天的首選器件。GaNHEMT器件在高頻、大功率應(yīng)用層面，需要輸出高的電流密度，而SiC材料的晶格常數(shù)與GaN材料的晶格常數(shù)接近，因此一般在SiC襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量的GaNHEMT異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，具備較大的電流密度，同時(shí)SiC材料的熱導(dǎo)率較高，能夠保證大功率散熱的要求，因此SiC基GaNHEMT器件廣泛應(yīng)用于微波功率放大。在器件制備的過程中，光刻是極其重要的關(guān)鍵工藝之一，不僅將器件以及電路通過光刻的形式轉(zhuǎn)移到晶圓上并實(shí)現(xiàn)層與層之間的精準(zhǔn)套刻，同時(shí)也是決定器件最小尺寸的工藝。但是對(duì)于SiC基GaN器件而言，由于晶圓的透明性，常規(guī)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記制備方法會(huì)在無金屬覆蓋的地方留有透明空隙，這會(huì)造成光在刻機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的時(shí)候，一部份光會(huì)從透明空隙的底部(waferstage)進(jìn)行反射，延長(zhǎng)了其反射光路徑，從而導(dǎo)致了機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的失敗。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種透明襯底晶圓的光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，可以很好地解決透明襯底光刻時(shí)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)失敗率高的問題。

為達(dá)到上述要求，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是：提供一種透明襯底晶圓的光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括第一金屬件和覆蓋在第一金屬件上的第二金屬件，所述第一金屬件由若干個(gè)平行且等間距設(shè)置的柵條組成，第二金屬件為方波型，且柵條一一對(duì)應(yīng)嵌設(shè)在第二金屬件的凹槽中。

優(yōu)選的，第一金屬件和第二金屬件采用的金屬為Ni、Ti、Ta或W。

優(yōu)選的，第一金屬件的厚度為110～130nm，第二金屬件的厚度為10～30nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：

通過兩次金屬淀積形成第一金屬件和第二金屬件，且第二金屬件完全覆蓋在第一金屬件上，將晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域由透明轉(zhuǎn)成非透明，增加了光刻機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的成功機(jī)率，從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來表示相同或相似的部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本實(shí)用新型的制作流程圖；

圖3-8為本實(shí)用新型各步驟所形成的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。為簡(jiǎn)單起見，以下描述中省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的某些技術(shù)特征。

本實(shí)施例提供一種透明襯底晶圓的光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括第一金屬件2和覆蓋在第一金屬件2上的第二金屬件4，第一金屬件2由若干個(gè)平行且等間距設(shè)置的柵條組成，柵條的個(gè)數(shù)根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整；第二金屬件4為方波型，方波型的第二金屬件4具有若干個(gè)底部開口的凹槽，凹槽的數(shù)量與柵條的數(shù)量相同，且柵條一一對(duì)應(yīng)嵌設(shè)在第二金屬件4的凹槽中，且第一金屬件2和第二金屬件4的底面位于同一個(gè)平面。第一金屬件2的厚度為120nm，第二金屬件4的厚度為20nm。第一金屬件2和第二金屬件3采用的金屬均為Ni。

如圖2所示，該光刻對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟：

首先對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)處理：常溫下在10％的鹽酸溶液中浸泡1分鐘，以去除晶圓表面氧化物及灰塵等顆粒，然后放入甩干機(jī)進(jìn)行甩干；

S1、在具有透明襯底的晶圓上涂抹光刻膠，并曝光顯影形成第一圖形化光刻膠1，第一圖形化光刻膠1完全覆蓋非對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域，且位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域中的第一圖形化光刻膠1為柵型，如圖3所示；透明襯底為SiC、玻璃或藍(lán)寶石；

S2、在帶有第一圖形化光刻膠1的晶圓上沉積一層120nm厚的金屬，金屬完全覆蓋晶圓表面和第一圖形化光刻膠1，如圖4所示；

S3、去除第一圖形化光刻膠1和第一圖形化光刻膠1頂部的金屬，得到具有柵型第一金屬件2的晶圓，如圖5所示；

步驟S3具體包括：

S31、在位于第一圖形化光刻膠1頂部的金屬表面貼上強(qiáng)粘力的粘膜；

S32、撕去粘膜從而去除第一圖形化光刻膠1頂部的金屬；