[實用新型]升壓降壓變換器

有效

• 申請號: 201720643721.3
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN207269199U
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: 李昊
• 申請（專利權）人: 深圳維普創新科技有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M3/07
• 代理公司: 深圳市碩法知識產權代理事務所(普通合伙)44321
• 代理人: 李姝

技術領域

本實用新型涉及電源電路，尤其是涉及一種不需要電感的升壓降壓變換器。

背景技術

升壓降壓變換器可以將輸入電壓轉換為高于、等于或低于該輸入電壓的輸出電壓，可以工作在較寬的輸入電壓變化范圍內，因此在電源領域得到了廣泛應用。目前，直流電壓的變換技術已比較成熟。傳統的直流電壓變換技術，一般只能實現電源的單向變換，同時常常要安裝有電感元件，電感元件一是體積較大，會影響產品的空間，二是電感元件在使用時，會產生較高的熱量，這就要求產品要留有散熱空間，同時電感元件的價格也一直居高不下。

實用新型內容

為解決上述問題，本實用新型目的在于提供一種不需要電感的升壓降壓變換器。

本實用新型通過以下技術措施實現的，一種升壓降壓變換器，包括第一輸出輸入端和第二輸出輸入端，所述第一輸出輸入端分別連接在第一電容的一極及第一開關管的一極，所述第一開關管的另一極分別連接第二電容的一極及第三開關管的一極，所述第三開關管的另一極分別連接第二輸出輸入端的及第四開關管的一極，所述第二輸出輸入端還通過第三電容接地，所述第四開關管的另一極分別連接第二電容的另一極及第二開關管的一極，所述第二開關管的另一極分別連接第一電容的另一極及接地。

作為一種優選方式，所述第一輸出輸入端分別連接在第一電容的一極及第一MOS管的漏極，所述第一MOS管的源極分別連接第二電容的一極及第三MOS管的漏極，所述第三MOS管的源極分別連接第二輸出輸入端的及第四MOS管的漏極，所述第二輸出輸入端還通過第三電容接地，所述第四MOS管的源極分別連接第二電容的另一極及第二MOS管的漏極，所述第二MOS管的源極分別連接第一電容的另一極及接地。

作為一種優選方式，所述MOS管都為N溝道MOSFET。

作為一種優選方式，所述第一開關管與第四開關管驅動開關同相，第二開關管與第三開關管驅動開關同相，第一開關管、第四開關管與第二開關管、第三開關管驅動開關反相，并且第一開關管、第四開關管與第二開關管、第三開關管驅動存在死區，防止第一開關管與第三開關管同時導通，及防止第二開關管與第四開關管同時導通。

作為一種優選方式，所述第一MOS管與第四MOS管驅動開關同相，第二MOS管與第三MOS管驅動開關同相，第一MOS管、第四MOS管與第二MOS管、第三MOS管驅動開關反相，并且第一MOS管、第四MOS管與第二MOS管、第三MOS管驅動存在死區，防止第一MOS管與第三MOS管同時導通，及防止第二MOS管與第四MOS管同時導通。

本實用新型驅動開關的占空比無限制，除0％與100％之外均可；開關頻率特征沒有限制，可以按照負載大小，紋波要求等條件選擇開關頻率；本實用新型變換電壓具有固定的關系式，第一端的電壓為V1，第二端電壓為V2，當此拓撲工作時，無論從第一端降壓到第二端，還是第二端升壓到第一端，V1與V2保持固定關系，其關系式為V1＝2*V2。本實用新型電路結構簡單，不需要電感就能完成升壓或降壓的變換，從而能節約產品的安裝空間，并能節約產品成本。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的電路原理圖。

圖2為本實用新型實施例作降壓變換時，Q1、Q4導通，Q2、Q3關閉的等效電路原理圖。

圖3為本實用新型實施例作降壓變換時，Q2、Q3導通，Q1、Q4關閉的等效電路原理圖。

圖4為本實用新型實施例作升壓變換時，Q2、Q3導通，Q1、Q4關閉的等效電路原理圖。

圖5為本實用新型實施例作升壓變換時，Q1、Q4導通，Q2、Q3關閉的等效電路原理圖。

具體實施方式

下面結合實施例并對照附圖對本實用新型作進一步詳細說明。