[實用新型]升壓降壓變換器有效
| 申請號： | 201720643721.3 | 申請日： | 2017-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN207269199U | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李昊 | 申請（專利權）人： | 深圳維普創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/158 | 分類號： | H02M3/158;H02M3/07 |
| 代理公司： | 深圳市碩法知識產權代理事務所(普通合伙)44321 | 代理人： | 李姝 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 升壓 降壓 變換器 | ||
1.一種升壓降壓變換器，其特征在于：包括第一輸出輸入端和第二輸出輸入端，所述第一輸出輸入端分別連接在第一電容的一極及第一開關管的一極，所述第一開關管的另一極分別連接第二電容的一極及第三開關管的一極，所述第三開關管的另一極分別連接第二輸出輸入端的及第四開關管的一極，所述第二輸出輸入端還通過第三電容接地，所述第四開關管的另一極分別連接第二電容的另一極及第二開關管的一極，所述第二開關管的另一極分別連接第一電容的另一極及接地。
2.根據權利要求1所述的升壓降壓變換器，其特征在于：所述第一輸出輸入端分別連接在第一電容的一極及第一MOS管的漏極，所述第一MOS管的源極分別連接第二電容的一極及第三MOS管的漏極，所述第三MOS管的源極分別連接第二輸出輸入端的及第四MOS管的漏極，所述第二輸出輸入端還通過第三電容接地，所述第四MOS管的源極分別連接第二電容的另一極及第二MOS管的漏極，所述第二MOS管的源極分別連接第一電容的另一極及接地。
3.根據權利要求2所述的升壓降壓變換器，其特征在于：所述MOS管都為N溝道MOSFET。
4.根據權利要求1所述的升壓降壓變換器，其特征在于：所述第一開關管與第四開關管驅動開關同相，第二開關管與第三開關管驅動開關同相，第一開關管、第四開關管與第二開關管、第三開關管驅動開關反相，并且第一開關管、第四開關管與第二開關管、第三開關管驅動存在死區，防止第一開關管與第三開關管同時導通，及防止第二開關管與第四開關管同時導通。
5.根據權利要求2所述的升壓降壓變換器，其特征在于：所述第一MOS管與第四MOS管驅動開關同相，第二MOS管與第三MOS管驅動開關同相，第一MOS管、第四MOS管與第二MOS管、第三MOS管驅動開關反相，并且第一MOS管、第四MOS管與第二MOS管、第三MOS管驅動存在死區，防止第一MOS管與第三MOS管同時導通，及防止第二MOS管與第四MOS管同時導通。
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