[實(shí)用新型]一種兩層堆疊的傳輸線射頻芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720637522.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-02
• 公開（公告）號(hào): CN206976336U
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都漢芯國科集成技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/48
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所(普通合伙)51124
• 代理人: 吳中偉

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體射頻芯片制造領(lǐng)域，特別涉及一種兩層堆疊的傳輸線射頻芯片。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中，如圖1所示，傳輸線射頻芯片1和無源饋電網(wǎng)絡(luò)2采用分離的設(shè)計(jì)模式；傳輸線射頻芯片1作用是將射頻信號(hào)傳輸至有源射頻功能芯片3，無源直流濾波饋電網(wǎng)絡(luò)2多采用混合電路集基片部分設(shè)計(jì)完成，在電路基片上安裝射頻電感和電容，完成對(duì)有源射頻功能芯片3的饋電功能。

現(xiàn)有產(chǎn)品中，采用分離式設(shè)計(jì)的傳輸線射頻芯片1和無源饋電網(wǎng)絡(luò)2占用體積大，且由于加電方向和加電形式限制，一個(gè)無源饋電網(wǎng)絡(luò)2只能為一個(gè)射頻芯片加電，所以在系統(tǒng)封裝(SIP)過程中，一個(gè)封裝所能集成的芯片數(shù)量非常有限。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提出一種兩層堆疊的傳輸線射頻芯片，解決傳統(tǒng)技術(shù)中傳輸線射頻芯片與無源饋電網(wǎng)絡(luò)采用分離式設(shè)計(jì)，造成系統(tǒng)封裝中能夠集成的芯片數(shù)量非常有限的問題。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種兩層堆疊的傳輸線射頻芯片，包括：位于頂層的傳輸線射頻芯片及位于底層的無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片，所述傳輸線射頻芯片與所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片對(duì)位堆疊鍵合成一個(gè)整體：所述傳輸線射頻芯片的背面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第一連接凸點(diǎn)和第二連接凸點(diǎn)，位于下部位置的第三連接凸點(diǎn)和第四連接凸點(diǎn)；所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的正面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第五連接凸點(diǎn)和第六連接凸點(diǎn)，位于下部位置的第七連接凸點(diǎn)和第八連接凸點(diǎn)；所述第一連接凸點(diǎn)和第二連接凸點(diǎn)分別與第五連接凸點(diǎn)和第六連接凸點(diǎn)對(duì)位鍵合；所述第三連接凸點(diǎn)和第四連接凸點(diǎn)分別與第七連接凸點(diǎn)和第八連接凸點(diǎn)對(duì)位鍵合。

作為進(jìn)一步優(yōu)化，所述傳輸線射頻芯片采用共面波導(dǎo)和微帶線相結(jié)合的傳輸模式，其包括輸入端口、輸出端口、接地端以及連接輸入端口和輸出端口的傳輸線電路；所述傳輸線電路為微帶線；所述接地端通過設(shè)置于傳輸線射頻芯片背面對(duì)應(yīng)的接地凸點(diǎn)鍵合到地，輸入端口和輸出端口分別通過金絲鍵合連接輸入、輸出射頻電路。

作為進(jìn)一步優(yōu)化，所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片包括兩路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路，其中一路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對(duì)應(yīng)連通第五連接凸點(diǎn)和第六連接凸點(diǎn)，第六連接凸點(diǎn)通過金絲鍵合為一個(gè)有源射頻功能芯片提供直流饋電；另外一路無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路的輸入端與輸出端分別對(duì)應(yīng)連通第七連接凸點(diǎn)和第八連接凸點(diǎn)，第八連接凸點(diǎn)通過金絲鍵合為另一個(gè)有源射頻功能芯片提供直流饋電。

作為進(jìn)一步優(yōu)化，在所述無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的正面與傳輸線射頻芯片的背面設(shè)置接地凸點(diǎn)的對(duì)應(yīng)位置也設(shè)置有接地凸點(diǎn)，無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的接地凸點(diǎn)和傳輸線射頻芯片的接地凸點(diǎn)對(duì)位鍵合。

本實(shí)用新型的有益效果是：實(shí)現(xiàn)了對(duì)傳輸線射頻芯片及無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片的三維堆疊互連，從而設(shè)計(jì)出一款既可以完成對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行傳輸，又可以為有源射頻信號(hào)進(jìn)行加電的芯片產(chǎn)品，減小了芯片占用體積；此外，由于無源饋電網(wǎng)絡(luò)采用芯片集成設(shè)計(jì)，一顆芯片中可以集成兩路無源直流濾波饋電網(wǎng)絡(luò)射頻電路，可以對(duì)兩個(gè)射頻功能芯片進(jìn)行直流饋電,從而增加了同一封裝內(nèi)封裝的功能芯片的數(shù)量。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)技術(shù)中的傳輸線射頻芯片和無源饋電網(wǎng)絡(luò)分離式設(shè)計(jì)示意圖；

圖2a為本實(shí)用新型中傳輸線射頻芯片三維凸點(diǎn)設(shè)計(jì)示意圖，2b為其側(cè)視圖；

圖3a為本實(shí)用新型中無源饋電網(wǎng)絡(luò)三維凸點(diǎn)設(shè)計(jì)示意圖，3b為其側(cè)視圖；

圖4為傳輸線射頻芯片與無源饋電網(wǎng)絡(luò)對(duì)位鍵合示意圖；

圖5為本實(shí)用新型中兩層堆疊的傳輸線射頻芯片應(yīng)用示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型旨在提出一種兩層堆疊的傳輸線射頻芯片，解決傳統(tǒng)技術(shù)中傳輸線射頻芯片與無源饋電網(wǎng)絡(luò)采用分離式設(shè)計(jì)，造成系統(tǒng)封裝中能夠集成的芯片數(shù)量非常有限的問題。

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的方案作進(jìn)一步的描述：

實(shí)施例：

本實(shí)施例中的兩層堆疊的傳輸線射頻芯片由上、下兩層芯片對(duì)位鍵合而成，其包括位于上層(頂層)的傳輸線射頻芯片，位于下層(底層)的無源饋電網(wǎng)絡(luò)射頻芯片；

其中，傳輸線射頻芯片如圖2a所示，在背面上設(shè)計(jì)有位于上部位置的第一連接凸點(diǎn)4和第二連接凸點(diǎn)5，位于下部位置的第三連接凸點(diǎn)6和第四連接凸點(diǎn)7；傳輸線射頻芯片的輸入端口S1、輸出端口S2采用共面波導(dǎo)傳輸模式，可以通過金絲鍵合連接輸入、輸出射頻電路，接地端(圖中未示意)通過接地凸點(diǎn)13鍵合到地，輸入端口S1與輸出端口S2之間的射頻傳輸電路采用微帶線12，表面鍍金；傳輸線射頻芯片的側(cè)視圖如2b所示；