[實(shí)用新型]一種提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720574147.0
• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207193434U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡小波;徐現(xiàn)剛;楊祥龍;陳秀芳;彭燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B23/00
• 分類號(hào): C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司37219
• 代理人: 張宏松

1.一種提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，包括外坩堝，外坩堝端口設(shè)置有密封外坩堝的坩堝蓋，其特征在于，在外坩堝內(nèi)設(shè)置有內(nèi)坩堝，所述的內(nèi)坩堝包括底壁和側(cè)壁，側(cè)壁為雙層側(cè)壁，雙層側(cè)壁包括內(nèi)壁和外壁，內(nèi)壁上設(shè)置有貫穿內(nèi)壁的小孔，底壁設(shè)置在內(nèi)壁與外壁之間的底部，內(nèi)壁圍成的腔室為上下中空結(jié)構(gòu)，雙層側(cè)壁上端口設(shè)置有密封內(nèi)壁與外壁之間夾層的環(huán)形端蓋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，內(nèi)坩堝的高度為外坩堝內(nèi)腔垂直高度的1/2-2/3；內(nèi)坩堝的外壁與外坩堝的內(nèi)側(cè)壁緊貼，間距小于0.5mm；內(nèi)坩堝的底部與外坩堝的底部緊貼。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，內(nèi)壁上小孔的直徑為8-12mm，小孔之間的間距為20-35mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，所述的內(nèi)壁、外壁均呈圓柱形，所述的內(nèi)壁與外壁之間的間距為15～25mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，外壁呈圓柱形，內(nèi)壁呈截頭圓錐形，截頭圓錐形的下端圓直徑大于上端圓直徑，截頭圓錐形的錐角為40-50°，內(nèi)壁與外壁之間的夾層為上端直徑大于下端直徑的截頭圓錐形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，所述的外坩堝蓋包括固定連接的蓋板和凸臺(tái)，蓋板為圓板形，凸臺(tái)為倒圓臺(tái)，倒圓臺(tái)的錐角為30-60°，倒圓臺(tái)的高度為5-10mm，倒圓臺(tái)下端圓的面積與籽晶的匹配。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，內(nèi)壁圍成的腔為內(nèi)坩堝內(nèi)腔，內(nèi)坩堝內(nèi)腔上端口與外坩堝蓋的凸臺(tái)相對(duì)，內(nèi)坩堝內(nèi)腔上端口直徑比凸臺(tái)下端圓的直徑小1-5mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，外坩堝端口側(cè)壁頂部均勻分布有螺孔，外坩堝蓋上以與螺孔相同的分布間距均勻設(shè)置有圓形通孔，石墨螺釘穿過(guò)坩堝蓋的圓形通孔及螺孔，螺孔的數(shù)量為6個(gè)，圓形通孔與螺孔數(shù)量匹配；環(huán)形端蓋與雙層側(cè)壁上端口的連接方式與外坩堝和外坩堝蓋的連接方式相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅單晶質(zhì)量的生長(zhǎng)坩堝，其特征在于，外坩堝蓋的凸臺(tái)臺(tái)面上固定有碳化硅籽晶；內(nèi)坩堝、外坩堝為石墨坩堝，環(huán)形端蓋、外坩堝蓋均為石墨蓋。