[實用新型]低溫低損傷膜層沉積系統

有效

• 申請號: 201720452553.X
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN206956142U
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 王開安;克雷格·馬里恩;艾凡·貝拉斯克斯;黃仲漩;丁坤寶;孫靜茹
• 申請（專利權）人: 奧昱新材料技術（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司33200
• 代理人: 林松海

1.一種低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，主要包括優化的磁控濺射沉積源，所述磁控濺射沉積源包括支撐框架、濺射靶材、磁體、殼體單元；

所述支撐框架包括朝向窗口的內表面和與內表面相對的外表面，用于限定一個窗口以及窗口周圍閉合回路；

所述濺射靶材為一個或者多個，安裝在所述支撐框架內表面，所述濺射靶材包括一個或多個濺射表面，構成了所述窗口的內壁，所述濺射靶材用來從所述濺射表面提供濺射材料；

所述的磁體為一個或多個，安裝在支撐框架外表面；

所述的殼體單元用來容納所述支撐框架，磁體，以及濺射靶材。

2.如權利要求1所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，所述支撐框架，進一步包括沿其外表面的多個肋條，所述肋條與肋條之間限定了一個或多個冷卻水通道，所述冷卻水通道用來流通冷卻劑以帶走所述支撐框架和所述濺射靶材的熱量。

3.如權利要求2所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，所述磁體固定在所述肋條上，所述磁體包括多個平行的沿所述支撐框架外表面的封閉環形回路。

4.如權利要求1所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，所述濺射材料被沉積到第一襯底的沉積表面，其中所述沉積表面朝向并基本垂直于所述支撐框架構成的窗口，沉積系統還可進一步包括傳動機構用來在所述第一襯底和所述磁控濺射沉積源之間產生相對運動。

5.如權利要求4所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，進一步包括第二襯底相對于所述支撐框架位于與所述第一襯底相反的一側，所述第二襯底包括朝向所述支撐框架構成的所述窗口的第二沉積表面，所述第二沉積表面用來接受從所述濺射靶材濺射出來的濺射材料，所述第二沉積表面可基本垂直于所述濺射表面。

6.如權利要求1所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，進一步包括一個真空工藝腔室用來容納磁控濺射沉積源和襯底。

7.如權利要求4所述的低溫低損傷膜層沉積系統，其特征在于，所述第一襯底是預制的有機發光二極管器件、金屬氧化物、薄膜晶體管、透明導電氧化物層，或射頻識別器件中的至少一種，所述濺射材料可在第一襯底上封裝一個或多個預制的電子器件。