[實用新型]一種芯片級封裝LED結構

有效

• 申請號: 201720431677.X
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN206947372U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 張世誠;趙平林;劉世良;侯國忠;白耀平
• 申請（專利權）人: 深圳市洲明科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所44275
• 代理人: 張明

技術領域

本實用新型涉及LED技術領域，尤其涉及一種芯片級封裝LED結構。

背景技術

LED的傳統封裝是先將芯片固定到基板上，然后在基板上對芯片實現封裝工藝，采用這種封裝工藝形成的LED器件，一方面，在封裝過程中，芯片可能會出現移動的現象，造成芯片封裝的位置精度不高，而且還會影響芯片與基板的導電性能，另一方面，封裝膠的厚度均勻性難以控制，對出光也有一定的影響。后來，隨著倒裝芯片的出現，人們開始研究芯片級封裝技術。并且，隨著室內顯示應用技術的不斷提高，出現了芯片級封裝LED。

芯片級封裝LED結構的基板的正面線路層的基材為銅，在銅上會依次鍍上鎳、銀和金，所以芯片級封裝LED結構的正面大部分區域為金黃色，會導致其對比度較低，傳統的解決方法是在封裝膠中添加黑色素來提高對比度，這樣做會損失約50％以上的亮度，當需要相同的亮度時會致使LED工作時的發熱量和功耗增大，從而大大影響LED結構的可靠性和使用壽命。

如圖1和圖2所示，現有的芯片級封裝LED結構包括基板，所述基板的正面設有正面線路層和一個以上的芯片，所述正面線路層上設有固晶區，一個以上的所述芯片固定設置于所述固晶區上，并且一個以上的所述芯片的電極分別與所述正面線路層鍵合。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種芯片級封裝LED結構，可以增加使用時LED結構的對比度。

為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為：

一種芯片級封裝LED結構，包括基板，所述基板的正面由芯片區域和鍍覆區域組成，所述芯片區域上設置待封裝的LED芯片，所述鍍覆區域上設有黑色的覆蓋層，所述覆蓋層為絕緣材質。

進一步的，所述覆蓋層為絲印油墨層、氧化銅層、氧化金層、以及二氧化硅復合材料層中的至少一種。

進一步的，所述覆蓋層通過噴涂或蒸鍍的方式覆蓋在基板的正面。

進一步的，所述覆蓋層的粒子的粒徑大小為納米級或微米級。

進一步的，還包括封裝膠層，所述封裝膠層分別覆蓋所述芯片區域和鍍覆區域。

進一步的，所述封裝膠層包括黑色素或玻珠粉。

進一步的，所述封裝膠層包括擴散劑。

進一步的，所述封裝膠層的材質為酚醛樹脂、環氧樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯和丙烯酸樹脂中的一種。

進一步的，所述芯片層包括紅光芯片、藍光芯片和綠光芯片。

進一步的，所述基板的背面設有公共電極標識。

本實用新型的有益效果在于：在鍍覆區域設置黑色并且絕緣的覆蓋層，可以增強LED結構的對比度，有利于降低LED結構的發熱量和功耗，從而提高其可靠性和使用壽命。

附圖說明

圖1為現有技術的芯片級封裝LED結構的示意圖1；

圖2為現有技術的芯片級封裝LED結構的示意圖2；

圖3為本實用新型實施例一的芯片級封裝LED結構的正面結構示意圖1；

圖4為本實用新型實施例一的芯片級封裝LED結構的背面結構示意圖1；

圖5為本實用新型實施例一的芯片級封裝LED結構的剖面結構示意圖；

圖6為本實用新型實施例二的芯片級封裝LED結構的正面結構示意圖2；

圖7為本實用新型實施例二的芯片級封裝LED結構的背面結構示意圖2。

標號說明：

1、基板；2、芯片區域；3、鍍覆區域；4、正面線路區域；5、鍵合線；6、導電孔；7、公共電極標識；8、背面線路區域；9、覆蓋層；10、封裝膠層。

具體實施方式

為詳細說明本實用新型的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。

本實用新型最關鍵的構思在于：在鍍覆區域設置黑色并且絕緣的覆蓋層，可以增強LED結構的對比度。

名詞定義：

二氧化硅復合材料層：指的是含鐵或含碳的二氧化硅層，二氧化硅復合材料層中，鐵和碳的具體含量可以根據需要進行設置。

請參照圖3至圖5，一種芯片級封裝LED結構，包括基板，所述基板的正面由芯片區域和鍍覆區域組成，所述芯片區域上設置待封裝的LED芯片，所述鍍覆區域上設有黑色的覆蓋層，所述覆蓋層為絕緣材質。