[實(shí)用新型]一種基于耦合電感的Buck變換器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720426885.0 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN206807292U | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于豪光;耿士華;劉猛 | 申請(專利權(quán))人: | 山東超越數(shù)控電子有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158;H02M1/14 |
| 代理公司: | 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙)11548 | 代理人: | 黃玉玨 |
| 地址: | 250104 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 耦合 電感 buck 變換器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及車載裝備領(lǐng)域,具體涉及一種車載KVM吊裝固定架構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,目前主流CPU采用多核心設(shè)計(jì),CPU性能的提升讓主板對其供電變換器及電壓調(diào)節(jié)器更加精確和復(fù)雜。為了輸出高品質(zhì)、大電流,主板的供電歷程也從原來的單相Buck變換器供電逐漸過渡到多相Buck變換器供電。
多相Buck變換器供電設(shè)計(jì)的一個(gè)好處是能夠提供足夠的大電流,另外一個(gè)好處就是可以獲得更穩(wěn)定的電壓,因?yàn)樵诙嘞郆uck變換器最后一步是將電流平滑濾波,理論上相數(shù)越多濾波后直流電的紋波系數(shù)越少,電壓電流更為穩(wěn)定。
當(dāng)前多相Buck變換器輸出濾波采用的是獨(dú)立電感,即每一相供電變換器,都有一個(gè)獨(dú)立的濾波電感,這樣的Buck變換器的動態(tài)性能不好,輸出的電流脈動多,輸出電壓波紋高,電壓調(diào)節(jié)不精確。
發(fā)明內(nèi)容
為克服所述不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于耦合電感的Buck變換器,改善了CPU供電Buck變換器的動態(tài)性能,減少輸出電流脈動,降低輸出電壓紋波,優(yōu)化PCB布局,從多方面提高了CPU供電Buck變換器的品質(zhì)。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種基于耦合電感的Buck變換器,包括主控芯片、驅(qū)動芯片、MOS管、耦合電感,所述主控芯片與若干驅(qū)動芯片相連,每個(gè)驅(qū)動芯片輸出電路通過一個(gè)耦合電感進(jìn)行LC濾波,得到輸出電壓V0,每個(gè)驅(qū)動芯片控制兩個(gè)MOS管的開通和關(guān)斷。
本實(shí)用新型具有以下有益效果:本實(shí)用新型利用集成的耦合電感代替多個(gè)獨(dú)立電感,改善了CPU供電Buck變換器的動態(tài)性能,減少輸出電流脈動,降低輸出電壓紋波,優(yōu)化PCB布局,從多方面提高了CPU供電Buck變換器的品質(zhì)。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中 U1、主動芯片,U2、驅(qū)動芯片,U3、驅(qū)動芯片,U4、驅(qū)動芯片,U5、驅(qū)動芯片,Q1、MOS管,Q2、MOS管,Q3、MOS管,Q4、MOS管,Q5、MOS管,Q6、MOS管,Q7、MOS管,Q8、MOS管,L1、耦合電感。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
如附圖1所示的一種基于耦合電感的Buck變換器,包括主控芯片U1、驅(qū)動芯片、MOS管、耦合電感,所述主控芯片U1與若干驅(qū)動芯片相連,每個(gè)驅(qū)動芯片輸出電路通過一個(gè)耦合電感L進(jìn)行LC濾波,得到輸出電壓V0,每個(gè)驅(qū)動芯片控制兩個(gè)MOS管的開通和關(guān)斷。
以4相供電為例,主控芯片U1與四個(gè)驅(qū)動芯片相連,四個(gè)驅(qū)動芯片分別設(shè)為驅(qū)動芯片U2、驅(qū)動芯片U3、驅(qū)動芯片U4、驅(qū)動芯片U5,主控芯片U1輸出4相信號頻率相同的PWM波形,分別是PWM1、PWM2、PWM3、PWM4,4路PWM波形之間相角依次相差2π/4,4路PWM波形為驅(qū)動波形,分別控制驅(qū)動芯片U2、驅(qū)動芯片U3、驅(qū)動芯片U4、驅(qū)動芯片U5,其中驅(qū)動芯片U1控制MOS管Q1和MOS管Q2的開通和關(guān)斷,驅(qū)動芯片U2控制MOS管Q3和MOS管Q4的開通和關(guān)斷,驅(qū)動芯片U3控制MOS管Q5和MOS管Q6的開通和關(guān)斷,驅(qū)動芯片U4控制MOS管Q7和MOS管Q8的開通和關(guān)斷。
本實(shí)用新型不局限于所述實(shí)施方式,任何人應(yīng)得知在本實(shí)用新型的啟示下作出的結(jié)構(gòu)變化,凡是與本實(shí)用新型具有相同或相近的技術(shù)方案,均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
本實(shí)用新型未詳細(xì)描述的技術(shù)、形狀、構(gòu)造部分均為公知技術(shù)。
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