[實用新型]高壓陶瓷電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720425166.7
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN206931495U
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 馮俊智;馮偉杰;陳海聰
• 申請（專利權）人: 汕頭市和業(yè)電子有限公司
• 主分類號: H01G4/224
• 分類號: H01G4/224;H01G4/002;H01G4/12;H01G4/236
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種高壓陶瓷電容器，其特征在于，包括：

陶瓷電容器本體，其為圓盤式結構，所述陶瓷電容器本體包括陶瓷基體、第一電極和第二電極，所述陶瓷基體上開設有凹槽；

第一引線，其通過焊錫與所述第一電極焊接形成第一焊錫部；

第二引線，其通過焊錫與所述第二電極焊接形成第二焊錫部；

第一包封層，其包裹在所述陶瓷電容本體、第一焊錫部、第二焊錫部以及部分第一引線和第二引線外；

第二包封層，其包裹在所述第一包封層外；

第三包封層，其包裹在所述第二包封層外。

2.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述第一包封層為雙酚A型環(huán)氧樹脂包封層，所述第二包封層為縮水甘油酯類環(huán)氧樹脂包封層，所述第三包封層為脂環(huán)族環(huán)氧樹脂包封層。

3.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述陶瓷基體包括第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對設置，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽設置在所述第一表面上，所述第二凹槽設置在所述第二表面上，且所述第一凹槽和第二凹槽的開設深度小于所述第一表面到第二表面的垂直距離；所述第一焊錫部位于所述第一凹槽中，所述第二焊錫部位于所述第二凹槽中。

4.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，還包括印字區(qū)，所述印字區(qū)為長方形區(qū)域，所述長方形區(qū)域的長度為0.5～2cm，寬度為0.1～1cm。

5.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述第一引線設置有第一彎折部，所述第二引線設置有第二彎折部，所述第一彎折部和第二彎折部為向外凸出的弧形結構。

6.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述陶瓷基體的第一表面到第二表面的垂直距離為1.5mm～10mm。

7.如權利要求3所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽和 第二凹槽的深度為0.5mm～1.3mm。

8.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述第一引線和第二引線為鍍錫軟銅線。

9.如權利要求1所述的高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述第一電極和第二電極為銀電極。