[實用新型]一種高性能單層石墨烯太赫茲波反射型調制器有效
| 申請號： | 201720379227.0 | 申請日： | 2017-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN207676092U | 公開（公告）日： | 2018-07-31 |
| 發明（設計）人： | 周大朋;肖丙剛 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | G02F1/19 | 分類號： | G02F1/19 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調制器 調制 單層石墨烯 二氧化硅 太赫茲波 襯底層 反射型 本實用新型 等效電路法 調制器結構 太赫茲信號 理論計算 五層結構 反射層 金屬金 入射層 石墨烯 速率和 中間層 堆疊 硅基 寬帶 緊湊 對稱 觀察 加工 | ||
【權利要求書】：
1.一種高性能單層石墨烯太赫茲波反射型調制器，其特征在于：由一層金屬反射層、第一二氧化硅襯底層、一層硅基底中間層、第二二氧化硅襯底層和一層石墨烯層由下往上疊置而成的五層結構。
2.根據權利要求1所述的一種高性能單層石墨烯太赫茲波反射型調制器，其特征在于：所述一層硅基底中間層，其功能在于為石墨烯提供電子。
3.根據權利要求1所述的一種高性能單層石墨烯太赫茲波反射型調制器，其特征在于：所述金屬反射層為金材料，其功能在于作為太赫茲波的反射層，太赫茲波在金材料界面發生反射，將按原路返回，再次經過石墨烯層。
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