[實(shí)用新型]無(wú)襯底芯片封裝LED有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720367695.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206774575U | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董翊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 導(dǎo)裝光電科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/62 |
| 代理公司: | 東莞市神州眾達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)44251 | 代理人: | 劉漢民 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華新*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 芯片 封裝 led | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域,尤指一種無(wú)襯底芯片封裝LED及其制作工藝。
背景技術(shù)
LED發(fā)展趨勢(shì)是無(wú)焊線無(wú)封裝,所謂無(wú)焊線就是采用倒裝結(jié)構(gòu)芯片,直接焊接在基板上。倒裝芯片的結(jié)構(gòu)是電極和發(fā)光層在透明藍(lán)寶石襯底的底部,與正裝芯片(平行結(jié)構(gòu))相反,這樣熱量可以直接從基板導(dǎo)走,不必通過(guò)絕熱的藍(lán)寶石襯底,而且電流分布更加均勻,使得芯片可以在更大的電流密度下使用,更免去了焊線的成本和斷線的隱患。倒裝芯片結(jié)構(gòu)包括無(wú)色透明藍(lán)寶石襯底,厚度約120-250um;生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的GaN外延層,這是一個(gè)多層結(jié)構(gòu),芯片的發(fā)光層就在其中,整個(gè)外延層厚度僅5-10um;電極,兩個(gè)電極分別為P和N,鍍?cè)谕庋訉由希姾笸庋訉又械陌l(fā)光層就發(fā)光,因藍(lán)寶石是無(wú)色透明的,所以發(fā)光可以毫無(wú)阻礙的透過(guò)藍(lán)寶石發(fā)出來(lái)。
所謂無(wú)封裝是指事先涂敷了熒光粉的倒裝芯片,也稱作(CSP = Chip Scale Package),即芯片級(jí)封裝。因?yàn)樗{(lán)寶石襯底是透明晶體,倒裝芯片是五面出光,所以熒光粉必須涂敷在上表面和四個(gè)側(cè)面,同時(shí)底部的電極區(qū)域不得被硅膠和熒光粉污染。目前熒光粉的涂敷結(jié)構(gòu)如下:
采用硅膠熒光粉壓制而成,五面出光,光效高,但是頂部和四周的色溫一致性控制較差,德豪潤(rùn)達(dá)的CSP也是以這種為主。
采用周圍二氧化鈦保護(hù)再覆熒光膜,只有頂部一個(gè)發(fā)光面,光的一致性和指向性很好,但是損失了四周的光輸出,光效會(huì)偏低。目前三星主要采用以此技術(shù)為主,但是也在開發(fā)德豪潤(rùn)達(dá)的第一種技術(shù)。德豪潤(rùn)達(dá)也在開發(fā)三星這種技術(shù)產(chǎn)品。
采用熒光膜全覆蓋,再加透明硅膠固定成型,也是五面出光,光效高,光品質(zhì)稍差,此款主要是飛利浦采用。
再有一種方法就是目前在車燈LED以及2525、3535、5050等陶瓷基板LED中采用的噴粉方式。
無(wú)論上述哪種制備方法,共同的特點(diǎn)就是:
芯片表面熒光粉與基板之間都隔著120-250um厚的藍(lán)寶石襯底,而藍(lán)寶石是隔熱材料,LED在點(diǎn)亮?xí)r,熒光粉吸收芯片發(fā)出的藍(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光或綠光或紅光或上述幾種顏色的組合,根據(jù)熒光粉的種類而不同,熒光粉在發(fā)光的同時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱,而藍(lán)寶石襯底的阻擋了熒光粉產(chǎn)生的熱量向基板的有效傳導(dǎo),造成了熒光粉溫度很高,大大降低了發(fā)光效率,同時(shí),過(guò)高的溫度加速了硅膠的老化,特別是在高密度大功率的情況下,問(wèn)題更加嚴(yán)重;
在射燈投光燈及車燈等配有聚光的光學(xué)系統(tǒng)的應(yīng)用中,真正高效利用的是LED的正面出光,在單顆CSP中,LED越厚側(cè)面占的面積越大,側(cè)面出光的很大一部分是損失掉了;
藍(lán)寶石襯底本身是厚度均勻表面表面光潔的無(wú)色透明晶體,折射率高于硅膠,光線在藍(lán)寶石襯底與硅膠界面處會(huì)發(fā)生全反射,對(duì)出光有很大影響。
可以看到,上述這些問(wèn)題都藍(lán)寶石襯底造成的,藍(lán)寶石作為GaN外延層(發(fā)光層)的襯底在外延生長(zhǎng)過(guò)程中是必不可少的,同時(shí)也是外延層的剛性支承。藍(lán)寶石襯底是可以剝離的,藍(lán)寶石襯底的剝離是一個(gè)很成熟的技術(shù),芯片生產(chǎn)廠家在制作另外一種芯片——垂直結(jié)構(gòu)芯片時(shí),要把絕緣的藍(lán)寶石襯底換成導(dǎo)電襯底,必須將藍(lán)寶石襯底剝離,采用的辦法是先將導(dǎo)電襯底貼合到外延層上,再用激光剝離技術(shù)或其它方法將背面的藍(lán)寶石襯底剝離。而對(duì)于倒裝芯片則都是帶著藍(lán)寶石襯底一起封裝成LED,不做襯底剝離,原因是:
發(fā)光外延層厚度只有5um左右,極為脆弱,一碰就碎,襯底剝離后失去支撐無(wú)法拾取、分選、運(yùn)輸、包裝,封裝廠也無(wú)法固晶;
藍(lán)寶石本身是透明的,對(duì)出光有影響但不大,本身又極為堅(jiān)硬,無(wú)論拾取、分選、運(yùn)輸、包裝、固晶都可以承受很大的壓力和沖擊,封裝廠使用極為方便;
激光剝離需要專門的設(shè)備,嚴(yán)格的條件,封裝廠一般不具備;
襯底剝離通常都是整張外延片剝離,而封裝廠拿到的芯片已經(jīng)是切割成單顆的了。
從上述分析,將倒裝芯片的襯底剝離做成無(wú)襯底LED是具有很大優(yōu)點(diǎn)的,目前已有的辦法是:
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