[實用新型]一種內置肖特基的溝槽式MOS芯片

有效

• 申請號: 201720353391.4
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN206711896U
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 關仕漢
• 申請（專利權）人: 淄博漢林半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種內置肖特基的溝槽式MOS芯片，包括襯底以及位于襯底上方的外延層，自外延層的上表面并排設置有若干溝槽（10），在外延層的頂部相鄰兩個溝槽（10）之間形成MOS結構，其特征在于：溝槽（10）內部通過絕緣層間隔分為上下兩個腔室，在溝槽（10）下側腔室的底面上設置有溝槽底部肖特基界面（9）；在外延層中設置有與外延層半導體類型相反的保護區。

2.根據權利要求1所述的內置肖特基的溝槽式MOS芯片，其特征在于：在所述的溝槽（10）的上下兩個腔室中分別填充有溝槽上部多晶硅（1）和溝槽下部多晶硅（3）。

3.根據權利要求1或2所述的內置肖特基的溝槽式MOS芯片，其特征在于：在所述的溝槽（10）下部的側壁上設置有溝槽下部氧化硅層（4）。

4.根據權利要求1所述的內置肖特基的溝槽式MOS芯片，其特征在于：所述的保護區位于每一個溝槽（10）的下部且與溝槽（10）間隔設置。

5.根據權利要求2所述的內置肖特基的溝槽式MOS芯片，其特征在于：所述的溝槽下部多晶硅（3）同時連接到MOS芯片的源極。

6.根據權利要求1所述的內置肖特基的溝槽式MOS芯片，其特征在于：所述的絕緣層為設置在溝槽（10）中部和上方側壁上的溝槽上部氧化硅層（2）。