[實(shí)用新型]一種電平遷移模塊及電池管理系統(tǒng)多主機(jī)通信裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720312027.3
• 申請(qǐng)日: 2017-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN206698247U
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐奔;肖兵;肖斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H04L12/413
• 分類號(hào): H04L12/413;H04L12/40;H04B3/04
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44245
• 代理人: 李斌

1.一種電平遷移模塊，其特征在于，包括一個(gè)把低電壓電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓電平信號(hào)的第一遷移電路和一個(gè)把高電壓電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為低電壓電平信號(hào)的第二遷移電路；第一遷移電路和第二遷移電路并聯(lián)組成一個(gè)電平遷移模塊實(shí)現(xiàn)通信信號(hào)的雙向傳遞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平遷移模塊，其特征在于，把低電壓電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓電平信號(hào)的第一遷移電路中，包括第一MOS管(Q1)和第一電阻(R1)、第二電阻(R2)，第一MOS管(Q1)為N型，其源極連接低電平芯片通信端口，柵極連接低電平芯片的高電平輸出(VCC1)，漏極連接第一電阻(R1)，第一電阻(R1)的另一端連接高電平芯片通信端口，在第一電阻(R1)和高電平芯片通信端口中間，通過一個(gè)上拉第二電阻(R2)連接到高電平芯片的高電平輸出(VCC2)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平遷移模塊，其特征在于，把高電壓電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為低電壓電平信號(hào)的第二遷移電路中，包括第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)和第三電阻(R3)、第四電阻(R4)，第二MOS管為P型，第三MOS管為N型，其中第二MOS管(Q2)源極連接高電平芯片的高電平輸出(VCC2)，柵極連接高電平芯片通信端口，漏極連接第三MOS管(Q3)的柵極并將在兩者連線的中點(diǎn)通過第四電阻(R4)接低電平芯片的參考地(GND1)，而第三MOS管(Q3)源極連接低電平芯片的參考地(GND1)，漏極通過上拉第三電阻(R3)接低電平芯片的高電平輸出(VCC1)，在第三電阻(R3)和漏極之間連接低電平芯片通信端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電平遷移模塊，其特征在于，通過設(shè)置電平遷移模塊內(nèi)電阻的阻值以適應(yīng)不同芯片間的電壓差。

5.一種基于權(quán)利要求1所述的電平遷移模塊的電池管理系統(tǒng)多主機(jī)通信裝置，其特征在于，包括一片負(fù)責(zé)電池管理算法計(jì)算的主控制器，多片負(fù)責(zé)電池組數(shù)據(jù)采集的電池管理芯片以及多個(gè)電平遷移模塊；主控制器與多片電池管理芯片分別各自通過SDA和SCL兩根總線并聯(lián)到TWI總線上，每相鄰兩個(gè)電池管理芯片在總線上通過兩個(gè)電平遷移模塊連接；

電池管理芯片k的低電壓電平信號(hào)通信端口SDA_k在SDA線上通過第一電平遷移模塊與電池管理芯片k+1的高電壓電平信號(hào)通信端口SDA_k+1相連，電池管理芯片k的低電壓電平信號(hào)通信端口SCL_k在SCL線上通過第二電平遷移模塊與電池管理芯片k+1的高電壓電平信號(hào)通信端口SCL_k+1相連，電平遷移模塊實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換的作用。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電池管理系統(tǒng)多主機(jī)通信裝置，其特征在于，主控制器用的是F28M35H22C芯片，電池管理芯片用的是Mega32HVB芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電池管理系統(tǒng)多主機(jī)通信裝置，其特征在于，TWI通信網(wǎng)絡(luò)中的節(jié)點(diǎn)地址采用7位編碼，所述多主機(jī)通信裝置最高容許128個(gè)芯片連接通信。