[實用新型]智能功率模塊和空調器

有效

• 申請號: 201720295465.3
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN206759336U
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 魏調興;馮宇翔
• 申請（專利權）人: 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H02M7/5395
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 張潤

1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：

輸入管腳；

輸出管腳；

逆變電路，所述逆變電路的輸入端與所述輸入管腳相連，所述逆變電路的輸出端與所述輸出管腳相連，所述逆變電路包括多個功率開關MOSFET管以及分別與所述多個功率開關MOSFET管對應并聯的多個續流MOSFET管，所述逆變電路用于將所述輸入管腳輸入的直流電逆變為交流電；

驅動單元，所述驅動單元分別與所述多個功率開關MOSFET管的柵極相連，所述驅動單元用于驅動所述多個功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述逆變電路進行逆變。

2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，包括：

PFC輸出管腳，所述PFC輸出管腳與所述輸入管腳相連；

PFC輸入管腳；

功率因數校正PFC電路，所述功率因數校正PFC的輸入端與所述PFC輸入管腳相連，所述功率因數校正PFC的輸出端與所述PFC輸出管腳相連，所述功率因數校正PFC電路包括PFC功率開關MOSFET管和PFC續流MOSFET管，所述PFC功率開關MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述驅動單元用于驅動所述PFC功率開關MOSFET管的導通和關斷，以控制所述PFC電路進行功率因數校正。

3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，所述多個功率開關MOSFET管和所述PFC功率開關MOSFET管為碳化硅MOSFET管，所述多個續流MOSFET管和所述PFC續流MOSFET管為氮化稼MOSFET管。

4.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述輸入管腳包括第一輸入管腳至第三輸入管腳，所述輸出管腳包括第一輸出管腳至第二輸出管腳，所述多個功率開關MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多個續流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，

所述第一MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第一MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第二MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的源極相連并具有第一節點，所述第二MOSFET管的源極與所述第二輸入管腳相連，所述第二MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第一節點與所述第一輸出管腳相連；

所述第七MOSFET管的漏極與所述第一MOSFET管的漏極相連，所述第七MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第一MOSFET管的源極相連；

所述第八MOSFET管的漏極與所述第二MOSFET管的漏極相連，所述第八MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第二MOSFET管的源極相連；

所述第三MOSFET管的漏極與所述第一輸入管腳相連，所述第三MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，所述第四MOSFET管的漏極與所述第三MOSFET管的源極相連并具有第二節點，所述第四MOSFET管的源極與所述第三輸入管腳相連，所述第四MOSFET管的柵極與所述驅動單元相連，其中，所述第二節點與所述第二輸出管腳相連；

所述第九MOSFET管的漏極與所述第三MOSFET管的漏極相連，所述第九MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第三MOSFET管的源極相連；

所述第十MOSFET管的漏極與所述第四MOSFET管的漏極相連，所述第十MOSFET管的源極與柵極相連后與所述第四MOSFET管的源極相連。