[實(shí)用新型]用于控制諧振型MEMS反射鏡的操作的控制電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720286194.5
• 申請(qǐng)日: 2017-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206773295U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·蘇拉尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G02B26/08
• 分類號(hào): G02B26/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于控制諧振型MEMS反射鏡的操作的控制電路，其特征在于，所述控制電路包括：

定時(shí)電路，所述定時(shí)電路被配置成用于控制對(duì)用于操作所述MEMS反射鏡的激活脈沖的定時(shí)；

放大器電路，所述放大器電路被配置成用于從所述定時(shí)電路接收第一控制信號(hào)，并且用于響應(yīng)于其而生成用于操作所述MEMS反射鏡的第一激活脈沖集合；以及

檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路被配置成用于檢測(cè)所述MEMS反射鏡處的電流并且用于響應(yīng)于檢測(cè)到所述MEMS反射鏡處的所述電流的方向變化而生成復(fù)位信號(hào)；

其中，所述定時(shí)電路進(jìn)一步被配置成用于響應(yīng)于從所述檢測(cè)電路接收所述復(fù)位信號(hào)而終止激活脈沖。

2.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述MEMS反射鏡是面內(nèi)MEMS反射鏡。

3.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述MEMS反射鏡是交錯(cuò)MEMS反射鏡。

4.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述檢測(cè)電路包括：

比較器電路，所述比較器電路被配置成用于檢測(cè)所述MEMS反射鏡處的所述電流的方向并且用于生成指示所述MEMS反射鏡處的所述電流的所述方向變化的信號(hào)；以及

邏輯電路，所述邏輯電路被配置成用于從所述比較器電路接收所述信號(hào)并且用于響應(yīng)于其而生成所述復(fù)位信號(hào)。

5.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述第一激活脈沖集合包括被施加到所述MEMS反射鏡的第一部分的第一初級(jí)脈沖以及被施加到所述MEMS反射鏡的第二部分的第二初級(jí)脈沖。

6.如權(quán)利要求5所述的控制電路，其特征在于，所述第一初級(jí)脈沖在所述MEMS反射鏡的角度處于其最大正值時(shí)開(kāi)始并且在所述MEMS反射鏡的所述第一部分的最大電容的角度處終止，并且其中，所述第二初級(jí)脈沖在所述MEMS反射鏡的所述角度處于其最大負(fù)值時(shí)開(kāi)始并且在所述MEMS反射鏡的所述第二部分的最大電容的角度處終止。

7.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述放大器電路進(jìn)一步被配置成用于從所述定時(shí)電路接收第二控制信號(hào)，并且用于響應(yīng)于其而生成用于操作所述MEMS反射鏡的第二激活脈沖集合。

8.如權(quán)利要求7所述的控制電路，其特征在于，所述第二激活脈沖集合包括被施加到所述MEMS反射鏡的第一部分的第一次級(jí)脈沖以及被施加到所述MEMS反射鏡的第二部分的第二次級(jí)脈沖。

9.如權(quán)利要求8所述的控制電路，其特征在于，所述第一次級(jí)脈沖在所述MEMS反射鏡的角度處于其最大負(fù)值時(shí)開(kāi)始并且在所述MEMS反射鏡的所述第一部分的最大電容的角度處終止，并且其中，所述第二次級(jí)脈沖在所述MEMS反射鏡的所述角度處于其最大正值時(shí)開(kāi)始并且在所述MEMS反射鏡的所述第二部分的最大電容的角度處終止。

10.如權(quán)利要求7所述的控制電路，其特征在于，所述第二激活脈沖集合中的每個(gè)激活脈沖具有比所述第一激活脈沖集合中的每個(gè)激活脈沖更短的占空比。

11.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述定時(shí)電路進(jìn)一步被配置成用于控制對(duì)用于激活所述檢測(cè)電路來(lái)監(jiān)測(cè)所述MEMS反射鏡處的所述電流的窗口信號(hào)的定時(shí)。

12.如權(quán)利要求11所述的控制電路，其特征在于，所述定時(shí)電路被配置成用于在激活脈沖的末端附近激活所述檢測(cè)電路以便監(jiān)測(cè)所述MEMS反射鏡處的所述電流。

13.如權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述定時(shí)電路被配置成用于測(cè)量第一激活脈沖的長(zhǎng)度，并且用于基于所述測(cè)量調(diào)整后續(xù)激活脈沖的電壓。

14.如權(quán)利要求13所述的控制電路，其特征在于，如果所述第一激活脈沖的所述長(zhǎng)度小于期望長(zhǎng)度，則所述后續(xù)激活脈沖的所述電壓減小，并且其中，如果所述第一激活脈沖的所述長(zhǎng)度大于所述期望長(zhǎng)度，則所述后續(xù)激活脈沖的所述電壓增大。

15.如權(quán)利要求14所述的控制電路，其特征在于，按照時(shí)鐘周期來(lái)測(cè)量所述第一激活脈沖的所述長(zhǎng)度和所述期望長(zhǎng)度。

16.如權(quán)利要求13所述的控制電路，其特征在于，所述定時(shí)電路進(jìn)一步被配置成用于控制對(duì)用于激活所述檢測(cè)電路來(lái)監(jiān)測(cè)所述MEMS反射鏡處的所述電流的窗口信號(hào)的定時(shí)；并且

其中，所述定時(shí)電路被配置成用于通過(guò)以下方式將所述第一激活脈沖的測(cè)量長(zhǎng)度與期望長(zhǎng)度進(jìn)行比較：在所述第一激活脈沖開(kāi)始時(shí)激活所述窗口信號(hào)；以及基于在所述第一激活脈沖開(kāi)始時(shí)激活的所述窗口信號(hào)期間檢測(cè)的電流，如果所述檢測(cè)的電流是第一方向，則確定所述測(cè)量長(zhǎng)度小于所述期望長(zhǎng)度，并且如果所述檢測(cè)的電流是第二方向，則確定所述測(cè)量長(zhǎng)度大于所述期望長(zhǎng)度。