[實(shí)用新型]散熱件及具有散熱件的芯片封裝件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720277304.1 | 申請日: | 2017-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN206595246U | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐宏欣;藍(lán)源富;張連家 | 申請(專利權(quán))人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 馬雯雯,臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 散熱 具有 芯片 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種散熱件,尤其是涉及一種適于使用于芯片封裝件中的散熱件。
背景技術(shù)
一般而言,當(dāng)芯片運(yùn)作時(shí),會產(chǎn)生大量的熱能。倘若熱能無法逸散而不斷地堆積在芯片內(nèi),芯片的溫度會持續(xù)地上升。如此一來,芯片可能會因?yàn)檫^熱而導(dǎo)致效能衰減或使用壽命縮短,嚴(yán)重者甚至造成永久性的損壞。為了預(yù)防芯片過熱導(dǎo)致暫時(shí)性或永久性的失效,通常須配置散熱件來降低芯片的工作溫度,進(jìn)而讓芯片可正常運(yùn)作。
在具有散熱件的芯片封裝件制造過程中,通常是將散熱件配置于線路載板上,并使芯片位于散熱件與線路載板之間,接著一起置入模具中,然后將熔融的封裝膠體例如環(huán)氧模壓樹脂(Epoxy Molding Compound,EMC)注入模具,以使封裝膠體覆蓋線路載板、芯片以及部分的散熱件。接著,使封裝膠體冷卻并固化,以形成封裝層。
然而,因?yàn)槟A鞯牧魉倩蛄髁坎灰卓刂疲蚴且驗(yàn)樽⑷脒^程中所引起的擾動,所以封裝膠體有可能會局部地包覆散熱件的散熱面,進(jìn)而導(dǎo)致芯片封裝件的外觀出現(xiàn)瑕疵并且導(dǎo)致芯片封裝件的散熱效率無法有效被提升。因此,如何進(jìn)一步提升芯片封裝件的散熱效率,實(shí)已成目前亟欲解決的課題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種散熱件及具散熱件的芯片封裝件,其具有良好的制造良率且可以提升芯片封裝件的散熱效率。
本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一種散熱件,其包括一散熱主體以及多個(gè)延伸部。散熱主體具有一散熱面、位于散熱面上的至少一凹槽以及一位于散熱面上的環(huán)形凸起,且環(huán)形凸起環(huán)繞該至少一凹槽。多個(gè)延伸部分別從散熱主體的邊緣向外延伸,且各延伸部分別具有一開口。
所述散熱主體包括圓形板狀體。
所述至少一凹槽包括多個(gè)彼此分離的弧形凹槽,且所述多個(gè)弧形凹槽對應(yīng)于所述多個(gè)開口分布。
各所述弧形凹槽的長度大于對應(yīng)所述開口的寬度。
所述至少一凹槽包括至少一環(huán)形凹槽。
所述至少一環(huán)形凹槽包括第一環(huán)形凹槽以及第二環(huán)形凹槽,且所述第一環(huán)形凹槽位于所述第二環(huán)形凹槽與所述環(huán)形凸起之間。
所述散熱片還包括多個(gè)連通于所述第一環(huán)形凹槽與所述第二環(huán)形凹槽之間的連通凹槽。
所述散熱主體與所述多個(gè)延伸部一體成形。
本實(shí)用新型的另一實(shí)施例提供一種芯片封裝件,其包括一線路載板、一芯片、一散熱件以及一封裝層。芯片配置于線路載板上并且與線路載板電性連接。散熱件配置于線路載板上以使芯片位于散熱主體與線路載板之間。封裝層覆蓋線路載板、芯片以及散熱件。
所述封裝層包括:
第一封裝部,位于所述線路載板以包覆所述芯片,且所述第一封裝部被所述散熱件所覆蓋;以及
第二封裝部,覆蓋所述多個(gè)延伸部,且所述第二封裝部通過所述多個(gè)開口與所述第一封裝部連接。
為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所示附圖作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1A是依照本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的散熱件的上視示意圖。
圖1B是圖1A中R1區(qū)域的放大圖。
圖1C是沿圖1B中剖線A-A’的剖面示意圖。
圖2A是依照本實(shí)用新型一實(shí)施例的芯片封裝件的剖面示意圖。
圖2B是圖2A中R2區(qū)域的放大圖。
圖2C是依照本實(shí)用新型另一實(shí)施例的芯片封裝件的局部剖面示意圖。
圖2D是圖2C中R3區(qū)域的放大圖。
圖3是依照本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的散熱件的局部上視示意圖。
圖4A是依照本實(shí)用新型的第三實(shí)施例的散熱件的局部上視示意圖。
圖4B是沿圖4A中剖線B-B’的剖面示意圖。
圖5是依照本實(shí)用新型的第四實(shí)施例的散熱件的局部上視示意圖。
附圖標(biāo)記說明:
100、300、400、500:散熱件;
110、310、410、510:散熱主體;
110a、110a1、110a2、310a、410a、510a:散熱面;
112、312、412、512:環(huán)形凸起;
114、314、414、514:第一凹槽;
112a、114a、412a、414a:側(cè)壁;
130:延伸部;
130a:開口;
132:第一傾斜部;
134:第一連接部;
136:第二傾斜部;
138:第二連接部;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于力成科技股份有限公司,未經(jīng)力成科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720277304.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





