[實(shí)用新型]一種移動(dòng)終端的PCB板以及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720244551.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN206506774U
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉焱;洪英鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳天瓏無線科技有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02
• 代理公司: 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11444
• 代理人: 王剛,龔敏

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及移動(dòng)終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種移動(dòng)終端的PCB板以及移動(dòng)終端。

背景技術(shù)

為了方便對(duì)移動(dòng)終端的USB(Universal Serial Bus，通用串行總線)信號(hào)線進(jìn)行調(diào)試，通常在PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)的最外層預(yù)留露銅點(diǎn)，該露銅點(diǎn)即為測(cè)試焊盤。

相關(guān)技術(shù)中，最外層與參考層之間設(shè)置有介質(zhì)層，其中，參考層為銅層，測(cè)試焊盤、介質(zhì)層以及參考層三者形成電容，并且，由于測(cè)試焊盤與參考層之間的距離較小，在測(cè)試焊盤與參考層之間產(chǎn)生的寄生電容的電容值較大，這就相當(dāng)于在USB信號(hào)線的線路上增加了對(duì)地的電容，使得USB差分信號(hào)的上升邊沿和下降邊沿變緩，影響了信號(hào)的質(zhì)量，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失敗。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種移動(dòng)終端的PCB板以及移動(dòng)終端，能夠減小寄生電容的電容值，改善USB信號(hào)線的信號(hào)質(zhì)量。

本申請(qǐng)的第一方面提供了一種移動(dòng)終端的PCB板，包括依次設(shè)置的頂層、第一介質(zhì)層以及參考層，所述頂層上設(shè)置有測(cè)試焊盤，

所述參考層上與所述測(cè)試焊盤正對(duì)的區(qū)域?yàn)閰⒖紖^(qū)域，所述參考層上開設(shè)有降容孔，所述降容孔的至少一部分位于所述參考區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選的，所述降容孔的橫截面的面積大于或等于所述測(cè)試焊盤的面積，所述橫截面為垂直于所述降容孔的軸線的平面。

優(yōu)選的，所述降容孔貫穿所述第一介質(zhì)層。

優(yōu)選的，所述測(cè)試焊盤的外廓形狀與所述降容孔的外廓形狀相同。

優(yōu)選的，所述測(cè)試焊盤的外廓形狀與所述降容孔的外廓形狀均為圓形。

優(yōu)選的，所述測(cè)試焊盤的直徑為1mm。

優(yōu)選的，還包括若干第二介質(zhì)層，所述參考層的數(shù)量為多個(gè)，相鄰兩個(gè)所述參考層通過第二介質(zhì)層隔開。

優(yōu)選的，所述降容孔穿透各所述參考層以及各所述第二介質(zhì)層。

優(yōu)選的，所述第一介質(zhì)層以及所述第二介質(zhì)層的介電系數(shù)為3～4。

本申請(qǐng)的第二方面提供了一種移動(dòng)終端，包括移動(dòng)終端的PCB板，所述移動(dòng)終端的PCB板為上述任一項(xiàng)所述的移動(dòng)終端的PCB板。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可以達(dá)到以下有益效果：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種移動(dòng)終端的PCB板，其中，在參考層上開設(shè)降容孔，該降容孔的至少一部分位于參考層上與測(cè)試焊盤正對(duì)的區(qū)域內(nèi)，如此設(shè)置后，測(cè)試焊盤與參考區(qū)域相互正對(duì)的面積減小，從而減小了產(chǎn)生在測(cè)試焊盤與參考層之間的寄生電容的電容值，改善了USB信號(hào)線的信號(hào)質(zhì)量。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請(qǐng)。

附圖說明

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的PCB板的頂層的示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的PCB板的參考層的示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的PCB板進(jìn)行調(diào)試時(shí)的連接示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-頂層；

11-測(cè)試焊盤；

2-參考層；

21-降容孔；

3-USB座子；

4-TVS管。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本申請(qǐng)的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本申請(qǐng)的原理。

具體實(shí)施方式

下面通過具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1-2所示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N移動(dòng)終端的PCB板，該P(yáng)CB板包括依次設(shè)置的頂層1、第一介質(zhì)層以及參考層2。其中，頂層1上設(shè)置有測(cè)試焊盤11，測(cè)試焊盤11用于對(duì)PCB板進(jìn)行調(diào)試，通常情況下，測(cè)試焊盤11為設(shè)置在頂層1上的露銅點(diǎn)。

參考層2用于布設(shè)信號(hào)線、電源線等，參考層2通常設(shè)置為銅層，第一介質(zhì)層為設(shè)置在頂層1與參考層2之間的絕緣層，第一介質(zhì)層的介電系數(shù)通常為3～4之間。

本申請(qǐng)中，為了減小測(cè)試焊盤11的容性效應(yīng)，從而減小USB信號(hào)的容性衰減，特此提出，在參考層2上開設(shè)有降容孔21，并使得降容孔21的至少一部分位于參考層2上與測(cè)試焊盤11正對(duì)的區(qū)域內(nèi)，為了便于描述，可以將參考層2上與測(cè)試焊盤11正對(duì)的區(qū)域定義為參考區(qū)域。

采用上述的方案后，測(cè)試焊盤11與參考區(qū)域相互正對(duì)的面積減小，從而減小了產(chǎn)生在測(cè)試焊盤11與參考層2之間的寄生電容的電容值，改善了USB信號(hào)線的信號(hào)質(zhì)量。