[實(shí)用新型]單刀單擲射頻開關(guān)及其構(gòu)成的單刀多擲射頻開關(guān)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720220852.0 | 申請日： | 2017-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN206658190U | 公開（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙奐;何山暐 | 申請（專利權(quán)）人： | 康希通信科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單刀 射頻 開關(guān) 及其 構(gòu)成 | ||
1.一種單刀單擲射頻開關(guān)，其特征在于，包括：電感(L1)、第一～第三電容(C1～C3)和開關(guān)器件(S1)；
電感(L1)連接在射頻端(RF)和天線端(ANT)之間，第一電容(C1)和第二電容(C2)串聯(lián)在射頻端(RF)和天線端(ANT)之間并與電感(L1)形成并聯(lián)；開關(guān)器件(S1)一端連接在第一電容(C1)和第二電容(C2)之間，另一端通過第三電容(C3)接地。
2.如權(quán)利要求1所述的單刀單擲射頻開關(guān)，其特征在于：開關(guān)器件(S1)為PMOS、NMOS、HEMT或LDMOS。
3.如權(quán)利要求1所述的單刀單擲射頻開關(guān)，其特征在于：第一電容(C1)和第二電容(C2)的電容值相同，取值都為C，電感(L1)的電感值為L，該單刀單擲射頻開關(guān)工作頻率為f，L和C之間相對關(guān)系為，f＝1/[2π·(L·C/2)0.5]。
4.如權(quán)利要求3所述的單刀單擲射頻開關(guān)，其特征在于：第三電容(C3)的電容值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于C，即C3>>C。
5.一種具有權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述單刀單擲射頻開關(guān)的單刀多擲射頻開關(guān)，其特征在于,包括：
結(jié)構(gòu)相同的N條臂，每一臂的第一端為射頻端(RF)，每一臂的第二端連接在一起后連接天線端(ANT)，N≥2；
每一條臂由權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述單刀單擲射頻開關(guān)構(gòu)成。
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