[實用新型]一種芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201720192390.6
• 申請日: 2017-03-01
• 公開（公告）號: CN206672937U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 孫鵬;任玉龍
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/31
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

技術領域

本實用新型實施例涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種芯片封裝結構。

背景技術

隨著半導體技術的發展以及消費電子市場的驅動，封裝技術向更輕、更薄、體積更小、電熱性能更優良的方向發展。芯片封裝工藝由逐個芯片封裝向晶圓級封裝轉變，而晶圓片級芯片規模封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，簡稱晶圓級芯片封裝因具有高密度、體積小、可靠性高、電熱性能優良等優點而正好滿足封裝工藝的要求而逐漸成為目前最先進也是最重要的封裝形式之一。

但是，現有技術中，WLCSP存在封裝效果較差的技術問題，封裝造成的晶粒崩角現象比較嚴重，影響WLCSP的后續測試及使用。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種芯片封裝結構，以解決現有技術中WLCSP封裝效果較差的技術問題。

本實用新型實施例提供了一種芯片封裝結構，包括：

芯片，所述芯片包括有源面、與所述有源面對向設置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側面，連接所述側面上下兩個邊沿的平面與所述有源面不垂直；

焊盤，位于所述芯片的所述有源面上；

焊球，位于所述焊盤上，通過所述焊盤與所述芯片電連接；

封裝層，位于所述芯片上遠離所述焊盤的一側，且所述封裝層包覆所述芯片的非有源面和側面。

可選的，所述芯片的所述側面的截面形狀為直線形、階梯形或者弧形。

可選的，當所述芯片的所述側面的截面形狀為階梯形時，所述側面包括第一側面和第二側面，所述第一側面靠近所述有源面，所述第二側面遠離所述有源面，所述第一側面的垂直高度為200-400μm。

可選的，所述芯片封裝結構還包括焊盤擴展層，位于所述芯片的所述有源面上且與所述焊盤電連接；所述焊球位于所述焊盤和所述焊盤擴展層上，通過所述焊盤和所述焊盤擴展層與所述芯片電連接。

可選的，所述焊盤包括邊緣焊盤和中心焊盤，所述邊緣焊盤位于所述有源面的邊緣區域，所述中心焊盤位于所述有源面的中心區域；

所述焊盤擴展層包括邊緣焊盤擴展層和中心焊盤擴展層，所述邊緣焊盤擴展層位于所述邊緣焊盤遠離所述有源面的中心位置的一側，所述中心焊盤擴展層包圍所述中心焊盤且與所述中心焊盤中心對準。

可選的，所述邊緣焊盤擴展層的長度范圍為150μm-250μm。

本實用新型實施例提供的芯片封裝結構，包括芯片、焊盤、焊球以及封裝層，芯片包括有源面、與有源面對向設置的非有源面以及連接有源面與非有源面的側面，封裝層包覆芯片的非有源面和側面，設置連接側面上下兩個邊沿的平面與有源面不垂直以及封裝層包覆芯片的非有源面和側面，可以增加芯片的側面的表面積，保證芯片的側面與封裝層保持較大的接觸面積，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果，解決現有技術中WLCSP封裝效果較差的技術問題。

附圖說明

為了更加清楚地說明本實用新型示例性實施例的技術方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本實用新型所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領域普通技術人員，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例一提供的一種芯片封裝結構的剖面結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例二提供的一種芯片封裝結構的剖面結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例二提供的一種芯片封裝結構的俯視結構示意圖；

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，以下將結合本實用新型實施例中的附圖，通過具體實施方式，完整地描述本實用新型的技術方案。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下獲得的所有其他實施例，均落入本實用新型的保護范圍之內。

實施例一

圖1是本實用新型實施例一提供的一種芯片封裝結構的剖面結構示意圖，具體的，本實用新型實施例一提供一種芯片封裝結構，如圖1所示，本實用新型實施例提供的芯片封裝結構可以包括：

芯片10，芯片10包括有源面101、與有源面101對向設置的非有源面102以及連接有源面101與非有源面102的側面103，連接側面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直；

焊盤20，位于芯片10的有源面101上；